Applied Materials Epitaxy Trends Shaping Electronics Today

المواد التطبيقية ويؤدي دوراً تحويلياً في الإلكترونيات الحديثة من خلال التمكين من النمو الدقيق لطبقات الكريستال الوحيدة على المناطق الفرعية شبه الموصلات. وتعزز هذه العملية الإرسال الإلكتروني، بما يكفل أداء الأجهزة العليا. وتسمح الآن السلف من قبيل التدريب عن بعد للمصنعين بخلق رقائق مرنة متعددة الوظائف مع إعادة استخدام رقائق باهظة الثمن المواد التطبيقيةمما يقلل كثيرا من التكاليف. إن التقنيات مثل هندسة اللصوصية والنضوج الوبائي تدفع المترجمين إلى ما هو أبعد من الحدود الحالية للسرعة، مما يدفع الابتكارات في الإلكترونيات ذات الطاقة العالية وتطبيقات البيئة القصوى. عن طريق صقل الهياكل شبه الموصلات, المواد التطبيقية التكنولوجيات، بما في ذلك الطليعة المواد التطبيقيةولا تزال تشكل مستقبل الحواسيب والاتصالات والأجهزة الفعالة للطاقة.

المداخل الرئيسية

• المواد التطبيقية ومن الأهمية بمكان تعزيز أداء الأجهزة الإلكترونية عن طريق التمكين من النمو الدقيق لطبقات الكريستال الوحيدة على المناطق الفرعية شبه الموصلات.
• Ultra-Wide Bandgap (UWBG) والمواد، مثل أكسيد الجاليوم ونيتريد الألمنيوم، تعمل على إحداث ثورة في الكترونيات الكهربائية بالسماح للأجهزة بالعمل في فولت مرتفع ودرجات حرارة.
• The integration of two-dimensional (2D) materials like graphene into epitaxial processes is paving the way for ultra-thin, flexible electronics with improved performance.
• وتوفر التقنيات الابتكارية، مثل " إيبيتاكسي " (ALE) و " Epitaxy Epitaxy " (SAE) " ، رقابة غير متكافئة على الممتلكات المادية، وهو أمر أساسي لتطوير أجهزة نقل متقدمة وأجهزة متعددة الوظائف.
• ويقود التخريب التقدم في الحوسبة العالية الأداء ومؤشر التنفيذ عن طريق الاستفادة المثلى من الهياكل شبه الموصلية لسرعات المعالجة السريعة وتخفيض استهلاك الطاقة.
• وتصبح الاستدامة في العمليات الوبائية أولوية، مع الأخذ بتقنيات تقلل من استهلاك النفايات والطاقة مع الحفاظ في الوقت نفسه على نمو بلوري عالي الجودة.
• وتبرز الفرص الناشئة في مجال الإلكترونيات الكميّة أهمية التضخيم في أجهزة الصنع التي تتلاعب بالكميات، وهو أمر أساسي لمستقبل الحساب والاتصال.

السلف في المواد التطبيقية

Development of Ultra-Wide Bandgap (UWBG) Materials

وتمثل المواد من طراز Ultra-Wide Bandgap (UWBG) قفزة كبيرة إلى الأمام في تكنولوجيا شبه الموصلات. وهذه المواد، التي تتميز بقدرتها على العمل في فولتات أعلى، وترددات، ودرجات حرارة، تُحوّل مشهد الإلكترونيات الكهربائية. وقد أحرز الباحثون تقدماً ملحوظاً في فهم فيزياء الموصلات شبه الموصلات التابعة للمجموعة، مما مكّن من تطوير أجهزة تفوق أداء التكنولوجيات التقليدية القائمة على السيليكون.

For instance, UWBG materials like gallium oxide (Ga2O3) and aluminum gallium nitride (AlGaN) exhibit exceptional thermal stability and electrical conductivity. وهذه الممتلكات تجعلها مثالية لتطبيقات عالية الطاقة، مثل المركبات الكهربائية ونظم الطاقة المتجددة. وقد أبرزت الدراسات الأخيرة أيضاً إمكاناتها في مجال الإلكترونيات ذات البيئة القصوى، حيث تتسم الاستدامة والكفاءة بأهمية حاسمة. ومن خلال الاستفادة من هذه التقدّمات، لا تزال المواد التطبيقية تصقل عمليات النمو بالنسبة لمواد الغاز غير المشروع وغير المنظم، بما يكفل الدقة في الجودة والوحدة.

إدماج 2D Materials in Epitaxy

وفتح إدماج مواد ثنائية الأبعاد (2D) في العمليات الوبائية آفاقا جديدة للابتكار في الإلكترونيات. وتوفر مواد مثل الجاين، والكبريتيد المغليبدينوم (MoS2)، والنيتريد الخبيث (h-BN) خصائص فريدة من نوعها، بما في ذلك الحركة الإلكترونية العالية، والمرونة الميكانيكية، وسماكة النطاق الذري. وتمكن هذه الخصائص من إنشاء أجهزة للوزن فوق العالي والخفيف مع تحسين الأداء.

وتؤدي المواد التطبيقية دوراً محورياً في تحقيق التكامل السلس لمواد الـ 2D مع الموصلات شبه التقليدية. وتسمح التقنيات، مثل فان دير وولز، بنمو طبقات من الـ2D بدون مشاكل في عدم المطابقة، مع الحفاظ على خصائصها الأساسية. وقد مهد هذا التقدم الطريق لتطبيقات في الإلكترونيات المرنة، والأجهزة القابلة للارتداء، والجيل القادم من المترجمين. كما أن القدرة على الجمع بين مواد الـ2D والمكونات الفرعية التقليدية تعزز القدرة الوظيفية للمكونات الإلكترونية، مما يدفع الابتكار عبر الصناعات المتعددة.

Innovations in Compound Semiconductors

وشبه الموصلات المركبة، المؤلفة من عنصرين أو أكثر، هي في مقدمة الإلكترونيات الحديثة. وتقدم مواد مثل أرسينيد الغاليوم، والفوسفيديد الأنديوم، وكاربيد السيليكون أداء أعلى من السيليكون في تطبيقات محددة. وهؤلاء الموصلون شبه الموصلين يتفوقون في الأجهزة ذات التردد العالي والقوى العالية والبصرية، مما يجعلهم لا غنى عنهم في ميادين مثل الاتصالات السلكية واللاسلكية والفضاء الجوي والصور الفوتوغرافية.

وقد أدت الابتكارات الأخيرة في مجال الفلزات التطبيقية إلى تحسين أساليب النمو بالنسبة لشبه الموصلات المركبة. وتكفل أساليب مثل الأشعة الجزيئية (MBE) وترسيب البخار الكيميائي المعدني العضوي (MOCVD) مراقبة دقيقة لسمك الطبقات وتكوينها. ويمكِّن هذا الدقة من اختلاق أجهزة متطورة، مثل أجهزة نقل ذات قدرة عالية على الكهرباء وأقسام الليزر، مع كفاءة وموثوقية لا مثيل لهما. ومع تزايد الطلب على الإلكترونيات الأكثر سرعة وكفاءة، يصبح دور شبه الموصلات المركبة وتطوراتها الوبائية أكثر أهمية.

تقنيات قطع الأشجار في المواد التطبيقية

(ALE)

وقد برزت " إيبيتاكسي " (ALE) كتقنية رائدة في ميدان المواد التطبيقية. وتسمح هذه الطريقة بترسيب طبقات عالية الدقة الذرية، بما يكفل السيطرة غير المتناظرة على سميك المواد وتكوينها. ويعمل " المستوى " عن طريق إدخال الغازات السليفة بطريقة متتابعة، مما يتيح لكل طبقة ذرية أن تشكل واحدة في كل مرة. وهذا الدقة يجعل المستوى الأمثل للتطبيقات التي تتطلب الدقة على النطاق النانوي، مثل المترجمين المتقدمين وأجهزة الذاكرة.

إن قدرة (آلي) على خلق طبقات خالية من العيوب قد أحدثت ثورة في صناعة شبه الموصلات وهو يدعم تطوير أجهزة عالية الأداء عن طريق تعزيز التنقل الإلكتروني والحد من خسائر الطاقة. وتستفيد الصناعات التي تستخدم " ALE " من توافقها مع طائفة واسعة من المواد، بما في ذلك السيليكون، ونيتريد الغاليوم (GaN)، وأكسيد الألمنيوم. This versatility ensures that ALE remains a cornerstone of modern epitaxial processes, driving innovation in electronics.

Epitaxy (SAE)

ويُدخل نظام " Epitaxy " الانتقائي في المنطقة مستوى جديدا من التكييف في النمو الوبائي. ولا تسمح هذه التقنية بترسيب المواد إلا في المناطق المحددة مسبقاً من الاستراتيجية الفرعية، مما يتيح إيجاد أنماط وهياكل معقدة. وتحقق الرابطة ذلك باستخدام الأقنعة أو النماذج لحجب المناطق غير المرغوب فيها، وضمان حدوث نمو مادي عند الحاجة تحديداً.

The benefits of SAE extend beyond patterning. وهي تيسر إدماج مواد متعددة على رقاقة واحدة، تمهيد الطريق للهيكل المتجانس للأجهزة. For example, SAE enables the combination of silicon with compound semiconductors like indium phosphide (InP) or gallium arsenide (GaAs), enhancing organity. وتتسم هذه القدرة بأهمية خاصة في الصور الفوتوغرافية والبصريات، حيث يكون التنسيب المادي الدقيق بالغ الأهمية. وتواصل الرابطة توسيع نطاق إمكانيات استخدام المواد التطبيقية عن طريق التمكين من تصميمات معقدة وأجهزة متعددة الوظائف.

Enhancements in Molecular Beam Epitaxy (MBE)

ولا يزال جهاز " بيام إيبيتاكسي " (MBE) يشكل حجر الزاوية في النمو الوبائي، ولا سيما بالنسبة لشبه الموصلات المركبة. وتنطوي هذه التقنية على توجيه الشعاعات الجزيئية أو الذريّة إلى طبقة فرعية مسخّرة تحت ظروف فراغ عالية. وتوفر وزارة الطاقة والبيئة رقابة استثنائية على سميك الطبقات وتكوينها، مما يجعلها لا غنى عنها للبحث والتطوير في مجال الإلكترونيات المتقدمة.

وأدت التطورات الأخيرة في وزارة التعليم والمساواة بين الجنسين إلى زيادة تعزيز قدراتها. وأدت الابتكارات في مجال التحكم في تدفق الشعاع والتدفئة من الباطن إلى تحسين التوحيد المادي والحد من العيوب. وتدعم هذه التحسينات صنع أجهزة عالية الأداء، مثل الآبار الكميّة والأوراق الخارقة، التي تتطلب ترتيبات ذرية دقيقة. كما أنها تبرز في إنتاج المواد اللازمة لتطبيقات عالية التردد والطاقات العالية، بما في ذلك مترجمات الموجات المتناهية الصغر وأقسام الليزر. ومن خلال تنقيح هذه التقنية، لا تزال المواد التطبيقية تضغط على حدود ما يمكن تحقيقه في تكنولوجيا شبه الموصلات.

تطبيقات المواد التطبيقية في الإلكترونيات المتقدمة

الحوسبة العالية الأداء

وقد أصبحت المواد التطبيقية حجر الزاوية في تعزيز الحوسبة العالية الأداء والاستخبارات الاصطناعية. ومن خلال التمكين من نمو طبقات البلورات العالية الجودة، يعزز التدريج كفاءة البث الإلكتروني، وهو أمر بالغ الأهمية لتطوير مجهزات أسرع وأكثر موثوقية. ويتيح هذا الدقة للمصنعين شبه الموصلين دفع حدود أداء المترجمين التحريريين، وضمان قدرة الرقائق على التعامل مع المطالب الحاسوبية الهائلة لأجهزة التخدير والمهام الكثيفة البيانات.

وتؤدي التقنيات التخريبية، مثل هندسة اللصوصية، دوراً محورياً في تحسين الهياكل شبه الموصلية إلى أقصى حد لتطبيقات الإي آي. وتتيح هذه الأساليب تحسين الممتلكات الإلكترونية، مما يؤدي إلى أجهزة ذات سرعة تجهيز أعلى وانخفاض استهلاك الطاقة. For instance, epitaxy facilitates the integration of compound semiconductors like gallium arsenide (GaAs) and silicon carbide (SiC), which are essential for creating high-electron-mobility transistors (HEMTs) used in AI accelerators. وفي الوقت الذي تواصل فيه منظمة العفو الدولية التطور، لا تزال المواد التطبيقية في طليعة تمكين الجيل القادم من النظم الذكية.

نظم الاتصالات المقبلة

ويعتمد التطور السريع لتكنولوجيات الاتصالات، بما في ذلك 5 زاي وما بعده، اعتمادا كبيرا على التقدم المحرز في العمليات الوبائية. وتُمكِّن المواد المطبَّقة من صنع أجهزة عالية التردد وأجهزة ذات قدرة عالية ضرورية لنظم الاتصال في الجيل القادم. ومن خلال إيداع طبقات البلورات الخالية من العيوب، يضمن التدريب إنتاج مكونات ذات نزاهة اشارة عالية وضياع حد أدنى من الطاقة.

وقد ثبت أن الاختناق الانتقائي في المنطقة (SAE) و " Molecular Beam Epitaxy " (MBE) كان لهما دور أساسي في تطوير أجهزة مثل أجهزة نقل الموجات الدقيقة وأجهزة الليزر. وتتسم هذه المكونات بأهمية حاسمة بالنسبة لانتقال البيانات بسرعة عالية وشبكات الاتصالات البصرية. وبالإضافة إلى ذلك، تدعم الضريبة إدماج مواد متعددة على رقاقة واحدة، مما يتيح إنشاء أجهزة متعددة الوظائف تعزز أداء نظم الاتصالات. ومع تزايد الطلب على الاتصالات على نحو أسرع وأكثر موثوقية، لا تزال الابتكارات الوبائية تحفز التقدم في هذا المجال.

Energy-Efficient Electronics

وقد أصبحت كفاءة الطاقة أولوية عليا في الإلكترونيات الحديثة، وتؤدي المواد التطبيقية دورا حيويا في تحقيق هذا الهدف. ومن خلال صقل هياكل شبه الموصلات، تخفض الضريبة خسائر الطاقة وتحسن الأداء العام للأجهزة الإلكترونية. وتسمح التقنيات مثل التدريج عن بعد بخلق رقائق مرنة متعددة الوظائف تستهلك قدرا أقل من الطاقة مع الحفاظ على الأداء العالي.

وقد برزت المواد من طراز Ultra-Wide Bandgap (UWBG) مثل أكسيد الغاليوم (Ga2O3) ونيتريد الألومنيوم (AlGaN) كمغيرين للعب في الإلكترونيات ذات الكفاءة في استخدام الطاقة. وهذه المواد، التي تتيحها عمليات النمو الوبائي المتطورة، تعمل على ارتفاع الفولط ودرجات الحرارة، مما يجعلها مثالية لتطبيقات مثل المركبات الكهربائية ونظم الطاقة المتجددة. وعلاوة على ذلك، ييسّر الإفراط إدماج الجسيمات الفلزية والعناصر المغناطيسية داخل شبه الموصلات، مما يمهد الطريق أمام العناصر الكهرو - البصرية التي تستهلك طاقة أقل. ومن خلال الاستفادة من هذه التقدّمات، لا تزال المواد التطبيقية تشكل مستقبلاً أكثر استدامة للالكترونيات.

التحديات والاتجاهات المستقبلية في مجال المواد التطبيقية

تجاوز حدود المواد والعمليات

ويواجه مجال المعلومات الوبائية التطبيقية تحديات كبيرة في التصدي للقيود المفروضة على المواد والعمليات. ويواجه الباحثون صعوبات في تحقيق النمو الكريستالي الخالي من العيوب، لا سيما عند العمل مع مواد معقدة مثل الموصلات شبه الموصلات وشبه الموصلات المركبة على نطاق واسع. ويمكن لهذه العيوب أن تعوق أداء الأجهزة وموثوقيتها، لا سيما في التطبيقات ذات الطاقة العالية والتردد العالي.

وللتغلب على هذه العقبات، يقوم العلماء باستكشاف تقنيات النمو المتقدمة وتحسين الأساليب القائمة. فعلى سبيل المثال، أدت الابتكارات في مضمار الشعاع الجزيئي (MBE) وضريبة الطبقات الذرية (ALE) إلى تحسين الرقابة على الترسيب على النطاق الذري، والحد من العيوب، وتعزيز التوحيد المادي. وبالإضافة إلى ذلك، فإن تطوير أدوات الرصد في الموقع يتيح إجراء تعديلات في الوقت الحقيقي خلال العملية التدريبية، بما يكفل الجودة المثلى للبلورات. ومن خلال معالجة هذه القيود، لا تزال المواد التطبيقية تضغط على حدود تكنولوجيا شبه الموصلات.

الاستدامة في العمليات التكتيكية

وقد أصبحت الاستدامة محط تركيز بالغ الأهمية في صناعة شبه الموصلات، بما في ذلك العمليات الوبائية. وكثيراً ما تستهلك الأساليب التقليدية طاقة كبيرة وتولد نفايات، مما يثير القلق بشأن أثرها البيئي. وتضع هذه الصناعة الآن أولويات للممارسات المراعية للبيئة من أجل تحقيق الاتساق مع أهداف الاستدامة العالمية.

وتشمل الجهود الرامية إلى تعزيز الاستدامة اعتماد نظم ضوئية فعالة من حيث الطاقة وإعادة تدوير مبان فرعية باهظة التكلفة. فتقنيات من قبيل التدريج عن بعد تمكّن الصانعين من إعادة استخدام القطع الفرعية دون المساس بنوعية البلورة، والحد من النفايات المادية. وعلاوة على ذلك، يقوم الباحثون بالتحقيق في السلائف والغازات البديلة التي تقلل من الانبعاثات الضارة خلال عملية النمو. وهذا التقدم لا يقلل من الأثر البيئي فحسب، بل يقلل أيضا من التكاليف التشغيلية، مما يجعل العمليات التدريبية المستدامة مكسبا لكل من الصناعة والكوكب.

Emerging Opportunities in Quantum Electronics

وتمثل الإلكترونيات الكميّة حدوداً واعدة بالنسبة للمواد التطبيقية. والتحكم الدقيق الذي توفره التقنيات الملحمية هو أمر أساسي لتلفيق الأجهزة الكميّة، التي تعتمد على الهياكل ذات النطاق الذري للتلاعب بالولايات الكمية. وتحظى مواد مثل السيليكون - جرمانيوم (سيغي) وأرسينيد الأنديوم (InAs) بالاهتمام لإمكانياتها في نظم الحواسيب الكمية والاتصالات.

وقد مكّنت الانجازات الأخيرة في النمو الوبائي من إيجاد آبار كمية، ونقاط كمية، وصور خارقة ذات دقة لم يسبق لها مثيل. وتشكل هذه الهياكل أساس الأجهزة الكميّة، مثل الأرصفة ومربيات الفوتون الواحد. وبالإضافة إلى ذلك، فإن إدماج مواد الـ2D في العمليات الوبائية يفتح إمكانيات جديدة للنظم الكمية الهجينة. ومع تزايد الطلب على التكنولوجيات الكميّة، ستؤدي مجموعة المواد التطبيقية دورا محوريا في تشكيل هذا المجال التحويلي.

---

ولا تزال المواد التطبيقية تؤدي إلى ثورة صناعة الإلكترونيات من خلال النهوض بالمواد والتقنيات والتطبيقات. فالابتكارات، مثل مواد الضمادات على نطاق واسع والضرائب عن بعد، تتيح إنشاء أجهزة عالية الأداء، من نظم فعالة من حيث الطاقة إلى أجهزة إلكترونية مرنة. وتكفل التقنيات، من قبيل الضريبة الوبائية في الطبقات الذرية، وضريبة المناطق الانتقائية، الدقة والقابلية للتصعيد، والارتطام، والارتطام في تكنولوجيات المعلومات والاتصالات، والتكنولوجيات الكمية. ومستقبل الضريبة يكمن في الممارسات المستدامة وتكامل المواد الجديدة، مما يبشر بتأثير تحولي على الإلكترونيات. ومع ظهور هذه التقدمات، لا تزال الضريبة حجر الزاوية في الابتكار والتقدم.

FAQ

ما هي عملية النسيج (إيبي) في نسيج شبه الموصل؟?

The epitaxy process in semiconductor fabrication involves depositing a fine layer of single plastic, typically ranging from 0.5 to 20 microns, into a single Belgian substrate. وتكفل هذه العملية أن تنمو طبقة البلورات الجديدة في اتجاه محدد يضاهي الإطار الفرعي الأساسي. وتؤدي دورا حاسما في إيجاد مواد عالية الجودة للأجهزة الإلكترونية المتقدمة.

لماذا عملية التخفي مهمة في صنع شبه الموصلات؟?

ويمكّن التخريب من نمو طبقة بلورات أعلى درجة من النقاء على طبقة فرعية من نفس المادة. ويتيح هذا الدقة للمصنعين تعزيز أداء وموثوقية الأجهزة شبه الموصلية. وفي بعض التطبيقات، مثل مترجمات ثنائي بولار هيتروبيشن (HBTs) أو الموصلات المميتة - Oxide-Semiconductor Field-Effectistors (MOSFETs)، تدعم الضريبة نمو طبقات مادية تختلف عن النطاق الفرعي، وتوسّع إمكانيات التصميم.

ماذا يعني مصطلح " التصحيح " ؟?

ويشير التخريب إلى شكل متخصص من أشكال النمو الكريستالي أو الترسيب المادي. وفي هذه العملية، تشكل الطبقات البلورية الجديدة اتجاهاً أو أكثر تحديداً فيما يتعلق بطبقة البذور البلورية. ويعرض الفيلم البلوري الناتج، المعروف بطبقة التدريج، خصائص هيكلية وإلكترونية استثنائية.

كيف يُحسن التدريج أداء الجهاز شبه الموصل؟?

ويعزز الإبيتاكسي أداء الأجهزة بتمكينها من التحكم الدقيق في الممتلكات المادية، مثل السميك والتكوين والتوجه البلوري. وهذه السيطرة تقلل من العيوب، وتحسن التنقل الإلكتروني، وتضمن التوحيد عبر الوفير. وهذه الفوائد أساسية بالنسبة للتطبيقات ذات الأداء العالي مثل مجهزي تكنولوجيا المعلومات، و 5 نظم اتصالات جي، والإلكترونيات الفعالة من حيث الطاقة.

ما هي أنواع المواد التي تُستخدم عادة في التدريج؟?

وكثيراً ما ينطوي الإيبيتاكسي على مواد مثل السيليكون، وأرسينيدي الغاليوم (GaAs)،, كاربيد السيليكون(AlGaN). ويتم اختيار هذه المواد لممتلكاتها الفريدة، مثل الاستقرار الحراري المرتفع، والسلوك الكهربائي، والتوافق مع الأجهزة شبه الموصلية المتقدمة.

ما هي التقنيات الرئيسية المستخدمة في النمو الوبائي؟?

وتُستخدم عدة تقنيات في النمو الوبائي، بما في ذلك النسيج المغنطيسي (MBE)، وEpitaxy (ALE)، وMtal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). وتوفر كل طريقة مزايا متميزة، مثل الدقة الذرية، والحد من العيوب، والتوافق مع مختلف المواد.

هل يمكن أن يدعم الضريبة تطوير الإلكترونيات المرنة؟?

نعم، يؤدي التدريج دورا محوريا في تطوير الإلكترونيات المرنة. فالتقنيات مثل النسيج عن بعد تتيح نمو طبقات البلورات العالية الجودة التي يمكن نقلها إلى طبقات فرعية مرنة. ويدعم هذا الابتكار إنشاء أجهزة للوزن الخفيف، قابلة للغطاء لتطبيقات مثل التكنولوجيا القابلة للارتداء والعرض القابل للطي.

كيف يمكن أن تسهم الضريبة في الاستدامة في صنع شبه الموصلات؟?

ويسهم التخريب في الاستدامة عن طريق التمكين من استخدام المواد بكفاءة والحد من النفايات. فالعمليات مثل التدريج عن بعد تتيح للمصنّعين إعادة استخدام مضبوطات باهظة الثمن دون المساس بنوعية البلورات. وبالإضافة إلى ذلك، فإن أوجه التقدم في النظم الوبائية الفعالة من حيث الطاقة والسلائف الصديقة للبيئة تساعد على التقليل إلى أدنى حد من الأثر البيئي للإنتاج شبه الموصل.

ما هي الصناعات التي تستفيد أكثر من التقدم الوبائي؟?

وتستفيد صناعات مثل الاتصالات السلكية واللاسلكية، والسيارات، والفضاء الجوي، والطاقة المتجددة استفادة كبيرة من أوجه التقدم الوبائي. وتشمل التطبيقات أجهزة اتصال عالية التردد، وأجهزة كهربائية للمركبات الكهربائية، ومكونات دائمة للبيئات القصوى. كما يدعم الإيبيتاكسي الميادين الناشئة مثل الحوسبة الكميّة والإسعاف.

ما هو مستقبل الضريبة في الإلكترونيات؟?

ويكمن مستقبل الضريبة في إدماج المواد الجديدة، مثل المواد 2D وشبه الموصلات على نطاق واسع، إلى جانب الممارسات المستدامة. ومن شأن هذه التطورات أن تمكن من تطوير أجهزة الجيل القادم مع ارتفاع الأداء، وانخفاض استهلاك الطاقة، وزيادة المرونة. وسيظل التخريب حجر الزاوية في الابتكار في صناعة الإلكترونيات.