Fokus CVD SiC Ring

Focus CVD ist ein spezielles chemisches Aufdampfverfahren, das spezifische Reaktionsbedingungen und Regelparameter verwendet, um eine lokalisierte Fokussierung der Materialabscheidung zu erreichen. Bei der Herstellung von Fokus-CVD-SiC-Ringen bezieht sich der Fokusbereich auf den spezifischen Teil der Ringstruktur, der die Hauptabscheidung zu der gewünschten Form und Größe erhält.

Warum ist Focus CVD SiC Ring?

Schwerpunkt CVD Si Ring ist ein Siliziumcarbid (SiC) Ringmaterial, hergestellt durch Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) Technologie.

Schwerpunkt CVD Si Ring hat viele hervorragende Leistungsmerkmale. Zuerst hat es eine hohe Härte, einen hohen Schmelzpunkt und eine ausgezeichnete hohe Temperaturbeständigkeit und kann Stabilität und strukturelle Integrität unter extremen Temperaturbedingungen erhalten. Zweitens: Fokus CVD SiC Ring hat eine ausgezeichnete chemische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit und hat eine hohe Beständigkeit gegenüber korrosiven Medien wie Säuren und Alkalien. Darüber hinaus verfügt sie über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit, die sich für Anwendungsanforderungen in hohen Temperaturen, hohem Druck und korrosiven Umgebungen eignet.

Schwerpunkt CVD Si Ring ist in vielen Bereichen weit verbreitet. Es wird oft für thermische Isolierung und Schutzmaterialien von Hochtemperaturanlagen, wie Hochtemperaturöfen, Vakuumeinrichtungen und chemischen Reaktoren verwendet. Darüber hinaus kann Focus CVD SiC Ring auch in der optoelektronischen, Halbleiterfertigung, Präzisionsmaschinen und Luft- und Raumfahrt eingesetzt werden, was eine leistungsstarke Umweltverträglichkeit und Zuverlässigkeit bietet.

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Application

Epitaxie Wachstum Suszeptor

Silizium-Siliziumcarbid-Wafer müssen durch mehrere Prozesse, die in elektronischen Geräten verwendet werden. Ein wichtiges Verfahren ist die Silicium/Sic-Epitaxie, bei der Silicium/Sic-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der siliciumcarbidbeschichteten Graphitbasis von Semicera sind äußerst hohe Reinheit, gleichmäßige Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Silikon Epitaxie Suszeptor

Silikon Carbide Epitaxie Suszeptor

LED Chip Production

Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt der Planetenträger den Substratwafer. Die Leistung des Basismaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die siliciumcarbidbeschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Außerdem liefern wir für alle derzeit im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren zusätzliche Graphitkomponenten. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, auch wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 M beträgt, können wir noch mit Siliziumkarbid beschichten.

LED Epitaxie Suszeptor

Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsverfahren, Etc.

Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsausdehnungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungen für die meisten Siliziumkarbidteile an.

Das folgende Bild zeigt den grobverarbeiteten Siliciumcarbid-Schlicker von Semicea und das im 1000-stufigen staubfreien Raum gereinigte Siliciumcarbid-Rohr. Unsere Arbeiter arbeiten vor der Beschichtung. Die Reinheit unseres Siliciumcarbids kann 99.99% erreichen, und die Reinheit der sic Beschichtung ist größer als 99.99995%.