MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum

Der MOCVD Susceptor für Epitaxial Growth von Semicera, eine führende Lösung zur Optimierung des epitaktischen Wachstumsprozesses für fortgeschrittene Halbleiteranwendungen. Der MOCVD Susceptor von Semicera sorgt für eine präzise Kontrolle über Temperatur und Materialabscheidung und ist damit die ideale Wahl, um hochwertige Si Epitaxie und SiC Epitaxie zu erreichen. Seine robuste Konstruktion und hohe Wärmeleitfähigkeit ermöglichen eine gleichbleibende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen, wodurch die für epitaktische Wachstumssysteme erforderliche Zuverlässigkeit gewährleistet wird.

Dieses MOCVD Susceptor ist kompatibel mit verschiedenen epitaktischen Anwendungen, einschließlich der Herstellung von monokristallinem Silizium und dem Wachstum von GaN auf SiC Epitaxy, so dass es eine wesentliche Komponente für Hersteller, die top-tier Ergebnisse suchen. Darüber hinaus funktioniert es nahtlos mit PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier und RTP Carrier Systemen, Verbesserung der Prozesseffizienz und Ertrag. Der Suszeptor eignet sich auch für LED Epitaxial Susceptor-Anwendungen und andere fortschrittliche Halbleiter-Herstellungsverfahren.

Mit seinem vielseitigen Design lässt sich der MOCVD-Suszeptor von Semicera für den Einsatz in Pancake Susceptors und Barrel Susceptors anpassen und bietet Flexibilität in verschiedenen Produktionsanlagen. Die Integration von Photovoltaic Parts erweitert seine Anwendung weiter, so dass es ideal für die Halbleiter- und Solarindustrie. Diese leistungsfähige Lösung bietet eine ausgezeichnete thermische Stabilität und Haltbarkeit und gewährleistet eine langfristige Effizienz in epitaktischen Wachstumsprozessen.