SiC-beschichteter Suszeptor für Deep UV-LED

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter von fortschrittlichen Halbleiterkeramiken. Unsere Hauptprodukte sind: Siliziumkarbid-Geätzscheiben, Siliziumkarbid-Boot-Trailer, Siliziumkarbid-Waferschiffe (PV & Semiconductor), Siliziumkarbid-Ofenrohre, Siliziumkarbid-Kanälberpaddel, Siliziumkarbid-Spanner, Siliziumkarbid-Strahler sowie CVD SiC-Beschichtungen und TaC-Beschichtungen.

Die Produkte werden hauptsächlich in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie, wie Kristallwachstum, Epitaxie, Ätzen, Verpackungen, Beschichtungs- und Diffusionsofenanlagen, eingesetzt.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren nach CVD-Methode an der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, so dass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschiedene Moleküle, die SIC-Schutzschicht bilden.

UV-LED-1 UV-LED-2

Hauptmerkmale

ANHANG Hohe Temperatur-Oxidationsbeständigkeit: Die Oxidationsbeständigkeit ist noch sehr gut, wenn die Temperatur so hoch ist wie 1600 C.
2. Hohe Reinheit: durch chemische Aufdampfung unter hoher Temperatur Chlorierung Zustand hergestellt.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

Hauptspezifikationen der CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm 3	3.21
Härte	Vickers Härte	2500
Grain Size	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	K-1	640
Sublimationstemperatur	°C	2700
Felexural Kraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young’s Modulus	Gpa (4pt Biegung, 1300°C)	430
Thermische Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300