Als professioneller chinesischer Hersteller, Lieferant und Exporteur von Silicon Carbide Ceramic Coating. Die Silicon Carbide Ceramic Coating von Semicera ist weit verbreitet in Schlüsselkomponenten von Halbleiterbaugeräten, insbesondere in Prozessprozessen wie CVD und PECV. Semicera verpflichtet sich, fortschrittliche Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie bereitzustellen und begrüßt Ihre weitere Beratung.
Semicera Silicon Carbide Ceramic Coating ist eine leistungsstarke Schutzbeschichtung aus extrem hartem und verschleißfestem Siliziumkarbid (SiC) Material. Die Beschichtung wird üblicherweise durch CVD- oder PVD-Verfahren mit Siliciumcarbidpartikeln auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden, wodurch eine ausgezeichnete chemische Korrosionsbeständigkeit und eine hohe Temperaturstabilität erreicht wird. Silicon Carbide Ceramic Coating ist daher weit verbreitet in Schlüsselkomponenten der Halbleiterfertigungsausrüstung.
Bei der Halbleiterherstellung kann SiC-Beschichtung extrem hohen Temperaturen bis zu 1600°C standhalten, so dass Silicon Carbide Ceramic Coating oft als Schutzschicht für Geräte oder Werkzeuge verwendet wird, um Schäden in hohen Temperaturen oder korrosiven Umgebungen zu verhindern.
Gleichzeitig kann Siliciumcarbid-Keramikbeschichtung der Erosion von Säuren, Alkalien, Oxiden und anderen chemischen Reagenzien widerstehen und eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl chemischer Substanzen aufweist. Dieses Produkt eignet sich daher für verschiedene korrosive Umgebungen in der Halbleiterindustrie.
Darüber hinaus hat SiC gegenüber anderen keramischen Materialien eine höhere Wärmeleitfähigkeit und kann Wärme effektiv leiten. Dieses Merkmal bestimmt, dass bei Halbleiterprozessen, die eine präzise Temperaturregelung erfordern, die hohe Wärmeleitfähigkeit der Silicon Carbide Ceramic Coating hilft, Wärme gleichmäßig zu verteilen, lokale Überhitzung zu verhindern und sicherzustellen, dass das Gerät bei der optimalen Temperatur arbeitet.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-Sic-Beschichtung |
|
Eigentum |
Typischer Wert |
Kristallstruktur |
FCC β-Phase polykristalline, hauptsächlich (111) orientiert |
Dichte |
3,2 g/cm3 |
Härte |
2500 Vickers Härte (500g Belastung) |
Korn SiZe |
2~10μm |
Chemische Reinheit |
99.99995% |
Wärmekapazität |
640 J.kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur |
270 °C |
Flexibilität |
415 MPa RT 4-Punkt |
Young’s Modulus |
430 Gpa 4pt Biegung, 1300°C |
Wärmeleitfähigkeit |
300 W-1·K-1 |
Thermische Expansion (CTE) |
4,5 x 10-6K-1 |
Semicera Semiconductor integriert F&E und Produktion mit zwei Forschungszentren und drei Produktionsstätten, die 50 Produktionslinien und über 200 Mitarbeiter unterstützen.
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