Massiver SiC-Fokusring

CVD Silicon Carbide(SiC) Ring zur Verfügung gestellt von Semicera ist eine unverzichtbare Schlüsselkomponente im komplexen Bereich der Halbleiterherstellung. lt ist für den Ätzprozess ausgelegt und kann für den Ätzprozess eine stabile und zuverlässige Leistung bieten. Dieses CVD-Silicon-Carbide(SiC) Ring wird durch Präzision und innovative
verfahren. lt ist vollständig aus chemischer Aufdampfung Siliziumkarbid (CVD SiC) Material und ist weithin als Vertreter von ausgezeichneter Leistung anerkannt und genießt einen hohen Ruf in der anspruchsvollen Halbleiterindustrie. Semicera freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Warum ist Siliziumkarbidätzring?

CVD Silicon Carbide(SiC) Ringe, die von Semicera angeboten werden, sind Schlüsselkomponenten im Halbleiterätzen, eine lebenswichtige Stufe in der Halbleiterbauweise. Die Zusammensetzung dieser CVD Silicon Carbide(SiC) Ringe gewährleistet eine robuste und langlebige Struktur, die den harten Bedingungen des Ätzprozesses standhält. Die chemische Aufdampfung hilft, eine hochreine, gleichmäßige und dichte SiC-Schicht zu bilden, wodurch die Ringe eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit erhalten.

Als Schlüsselelement in der Halbleiterherstellung, CVD Silicon Carbide(SiC) Ringe wirken als Schutzbarriere, um die Integrität von Halbleiterchips zu schützen. Sein präzises Design sorgt für ein gleichmäßiges und kontrolliertes Ätzen, das bei der Herstellung von hochkomplexen Halbleiterbauelementen hilft und eine verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit bietet.

Die Verwendung von CVD SiC-Material bei der Konstruktion der Ringe zeigt ein Engagement für Qualität und Leistung in der Halbleiterfertigung. Dieses Material hat einzigartige Eigenschaften, einschließlich hoher Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichneter chemischer Trägheit und Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit, wodurch CVD Silicon Carbide(SiC) Ringe ein unverzichtbarer Bestandteil in der Verfolgung von Präzision und Effizienz bei Halbleiterätzprozessen.

Semiceras CVD Silicon Carbide (SiC) Ring stellt eine fortschrittliche Lösung im Bereich der Halbleiterherstellung dar, wobei die einzigartigen Eigenschaften von chemisch dampfabgelagertem Siliziumkarbid verwendet werden, um zuverlässige und leistungsstarke Ätzprozesse zu erreichen, wodurch die kontinuierliche Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie gefördert wird. Wir sind verpflichtet, den Kunden hervorragende Produkte und professionelle technische Unterstützung zu bieten, um der Nachfrage der Halbleiterindustrie nach hochwertigen und effizienten Ätzlösungen gerecht zu werden.

Our advantage, why choose Semicera?

√Top-Qualität in China Markt
√ Guter Service immer für Sie, 7*24 Stunden
√ Kurze Lieferfrist
√Small MOQ willkommen und akzeptiert
√Custom Services

Application

Epitaxie Wachstumsanfälliger

Silizium-Siliziumcarbid-Wafer müssen durch mehrere Prozesse, die in elektronischen Geräten verwendet werden. Ein wichtiges Verfahren ist die Silicium/Sic-Epitaxie, bei der Silicium/Sic-Wafer auf einer Graphitbasis getragen werden. Besondere Vorteile der siliciumcarbidbeschichteten Graphitbasis von Semicera sind äußerst hohe Reinheit, gleichmäßige Beschichtung und extrem lange Lebensdauer. Sie haben auch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Solid Si Schwerpunkt Ring

LED Chip Production

Während der umfangreichen Beschichtung des MOCVD-Reaktors bewegt der Planetenträger den Substratwafer. Die Leistung des Basismaterials hat einen großen Einfluss auf die Beschichtungsqualität, was wiederum die Schrottrate des Chips beeinflusst. Die siliciumcarbidbeschichtete Basis von Semicera erhöht die Fertigungseffizienz hochwertiger LED-Wafer und minimiert die Wellenlängenabweichung. Außerdem liefern wir für alle derzeit im Einsatz befindlichen MOCVD-Reaktoren zusätzliche Graphitkomponenten. Wir können fast jede Komponente mit einer Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, auch wenn der Bauteildurchmesser bis zu 1,5 M beträgt, können wir noch mit Siliziumkarbid beschichten.

Halbleiterfeld, Oxidationsdiffusionsverfahren

Im Halbleiterprozess erfordert der Oxidationsausdehnungsprozess eine hohe Produktreinheit, und bei Semicera bieten wir kundenspezifische und CVD-Beschichtungen für die meisten Siliziumkarbidteile an.

Das folgende Bild zeigt den grobverarbeiteten Siliciumcarbid-Schlicker von Semicea und das im 100 Raum gereinigte Siliciumcarbid-Rohr. Unsere Arbeiter arbeiten vor der Beschichtung. Die Reinheit unseres Siliciumcarbids kann 99.99% erreichen, und die Reinheit der sic Beschichtung ist größer als 99.99995%.