WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter, der auf Wafer und fortgeschrittene Halbleiterverbraucher spezialisiert ist. Wir sind bemüht, qualitativ hochwertige, zuverlässige und innovative Produkte für die Halbleiterfertigung, Photovoltaik-Industrie und andere verwandten Bereichen bereitzustellen.
Unsere Produktlinie umfasst SiC/TaC beschichtete Graphitprodukte und keramische Produkte, die verschiedene Materialien wie Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid und etc. umfassen.
Als vertrauenswürdiger Lieferant verstehen wir die Bedeutung von Verbrauchsmaterialien im Herstellungsprozess, und wir sind verpflichtet, Produkte zu liefern, die den höchsten Qualitätsstandards entsprechen, um die Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen.
Graphittiegel wird hauptsächlich verwendet, um Kupfer, Messing, Gold, Silber, Zink und Blei zu schmelzen, und andere Nichteisenmetalle und ihre Legierungen.
Unser Graphittiegel wird mit hochreinem isostatisch gepresstem Graphit verarbeitet, der eine gute Wärmeleitfähigkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit aufweist. Der Wärmeausdehnungskoeffizient ist bei der Hochtemperaturnutzung gering und weist eine gewisse Dehnungsbeständigkeit gegenüber akuter Hitze und akuter Kühlung auf. Es hat eine starke Korrosionsbeständigkeit gegenüber saurer und alkalischer Lösung und eine ausgezeichnete chemische Stabilität. Die speziellen Modelle können mit Zeichnungen und Mustern angepasst werden, und die Materialien sind inländischer Graphit und importierter Graphit, um die unterschiedlichen Bedürfnisse der Kunden zu erfüllen.
> Hoher reiner Graphit Crucible
>Isostatischer Graphit kreuzbar
>Silizium Carbide Graphit Crucible
>Siliziumkarbid roh
> Clay Graphite kreuzbar
> Quarts Crucible
ANHANG Lange Lebensdauer
2. Hohe Wärmeleitfähigkeit
3. Neue Materialien
4. Korrosionsbeständigkeit
5. Oxidationsbeständigkeit
6. Hochfest
7. Multifunktion
Technische Daten des Materials |
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Index | Einheit | Standardwert | Prüfwert |
Temperaturbeständigkeit | °C | 1650°C | 180 °C |
Chemische Zusammensetzung (%) |
C | 35~45 | 45 |
Si | 15~25 | 25 | |
AL2O3 | 10~20 | 25 | |
SiO2 | 20~25 | 5 | |
Offene Porosität | % | ≤30% | ≤28% |
Compressive Strength | Mpa | ≥8.5MPa | ≥8.5MPa |
Große Dichte | g/cm3 | ≥1.75 | 1.78 |
Unser Siliziumkarbidtiegel ist isostatisches Umformen, das 23 mal im Ofen verwendet werden kann, während andere nur 12 mal verwenden können |
Semicera Semiconductor integriert F&E und Produktion mit zwei Forschungszentren und drei Produktionsstätten, die 50 Produktionslinien und über 200 Mitarbeiter unterstützen.
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