Warum ist Siliziumkarbid im Jahr 2025 so teuer?

 

 

Die erhöhten Kosten von Siliziumkarbid im Jahr 2025 spiegeln seine kritische Rolle in fortgeschrittenen Industrien wider. Die automobil- und halbleitersektor, angetrieben von electric vehicles und erneuerbare Energie, haben deutlich erhöhte Nachfrage. Das prognostizierte Wachstum des Marktes von $1.672 Milliarden in 2024 auf $4.863 Milliarden bis 2029 unterstreicht diesen Trend. Allerdings begrenzte Produktionskapazität und der energieintensive Prozess der Schaffung silicon carbide coated susceptors zu seinem hohen Preis beitragen. Darüber hinaus die Verwendung von sic coated susceptors bei der Herstellung verbessert die Effizienz, erhöht aber die Produktionskosten. Innovationen wie sic coating ziel, die leistung zu optimieren, aber skalierung bleibt eine herausforderung.

 

Wichtigste Erkenntnisse

 

 

• Siliziumkarbid kostet mehr, weil es für Elektroautos und grüne Energie benötigt wird. Der Markt wird bis 2029 viel wachsen.

 

• Es gibt nicht viel reines Rohstoff, und es ist hart. Das macht Siliziumkarbid teuer.

 

• Beschichtungswerkzeuge mit Siliziumkarbid hilft Halbleiter schneller und besser zu machen. Es senkt auch die Kosten für die Fabriken.

 

• Neue Technologie und mehr fabriken weltweit können die preise später senken.

 

• Siliziumkarbid auf umweltfreundliche Weise herzustellen ist wichtig. Neue Ideen zielen darauf ab, die Verschmutzung zu reduzieren und besser zu recyceln.

 

 

Herausforderungen bei der Herstellung von Silicon Carbide

 

 

Rohstoffknappheit

 

Begrenzte Verfügbarkeit von hochreinen Silizium- und Kohlenstoffquellen

 

Die Herstellung von Siliciumcarbid beruht auf hochreinen Silizium- und Kohlenstoffquellen, die in der Verfügbarkeit begrenzt bleiben. Diese Rohstoffe müssen strenge Qualitätsstandards erfüllen, um die Leistung und Haltbarkeit des Endprodukts zu gewährleisten. Die Knappheit dieser Ressourcen schafft einen Engpass in der Lieferkette und macht es den Herstellern schwer, die wachsende Nachfrage zu befriedigen. Diese Einschränkung wirkt sich direkt auf die Kosten und Verfügbarkeit von Siliziumkarbid auf dem Markt aus.

 

Geopolitische Faktoren, die die Rohstoffversorgungsketten beeinflussen

 

Geopolitische Spannungen erschweren die Rohstoffversorgung weiter. Viele Regionen mit reichlich Silizium- und Kohlenstoffreserven stehen vor Exportbeschränkungen oder politischen Instabilitäten und stören globale Lieferketten. Diese Herausforderungen zwingen Hersteller, alternative Quellen zu suchen, oft zu höheren Kosten, was den Gesamtaufwand für die Herstellung von Siliziumkarbid ergänzt.

 

Komplexes Herstellungsverfahren

 

Hohe Energieanforderungen für die Produktion

 

Die Herstellung von Siliciumcarbid beinhaltet energieintensive Prozesse, wie die Acheson-Methode, die verbraucht ca. 6,5 MWh Strom pro Tonne Siliziumkarbid. Der Energiebedarf beruht in erster Linie auf Heizlichtbogenöfen bis zu extrem hohen Temperaturen. Für Siliziumcarbid in Halbleiterqualität sind die Energieanforderungen noch höher, wie in der folgenden Tabelle dargestellt:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jahr	Energiebedarf (MWhel/tSiC)	Niedrigtemperatur-Wärmebedarf (MWhth/tSiC)	DAC Einheit Energiebedarf (kWhel/tSiC)
2030	26.2	3.7	548
2040	24.9	3.1	495
2050	24.2	2.7	444

 

Die Bemühungen zur Senkung des Energieverbrauchs laufen weiter, aber der hohe Energiebedarf bleibt ein bedeutender Kostentreiber.

 

Präzision, die für die Qualitätskontrolle im Halbleiterbau Siliziumkarbid benötigt wird

 

Die Herstellung von Halbleiter-Edelmetall erfordert eine außergewöhnliche Präzision. Der Prozess beinhaltet mehrere schritte, einschließlich rohstoffauswahl, formgebung, trocknung, sinterung und qualitätskontrolle. Jeder Schritt muss genaue Standards erfüllen, um die Leistung des Materials in kritischen Anwendungen zu gewährleisten. Diese Präzision erhöht die Produktionskomplexität und die Kosten.

 

Kosten der Skalierung

 

Begrenzte Anzahl von Einrichtungen, die qualitativ hochwertiges Siliciumcarbid produzieren können

 

Die Skalierung der Siliziumkarbidproduktion stellt große Herausforderungen dar. Nur wenige Einrichtungen verfügen über fortschrittliche Ausrüstung und Know-how, die für die Herstellung von hochwertiges siliziumkarbid. Die Spezialität dieser Anlagen begrenzt die globale Produktionskapazität, die weiteren Kosten.

 

Hohe Investitionen für fortgeschrittene Fertigungsanlagen

 

Die Errichtung oder Modernisierung von Produktionsanlagen erfordert erhebliche Investitionen. Fortgeschrittene Fertigungsanlagen, wie sie zur Herstellung von sic beschichteten Anfälligkeiten verwendet werden, erfordern erhebliche finanzielle Ressourcen. Diese Investitionen sind notwendig, um die Produktionseffizienz zu erhalten und die wachsende Nachfrage nach Siliziumkarbid in Industrien wie Halbleitern und Elektrofahrzeugen zu erfüllen.

 

Rolle von sic beschichteten Suszeptoren

 

Bedeutung bei Hochtemperatur-Herstellungsprozessen

 

Silikonkarbid-beschichtete Suszeptoren eine kritische Rolle bei Hochtemperatur-Herstellungsprozessen spielen, insbesondere in der Halbleiterindustrie. Ihre hohe thermische stabilität gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter extremen Bedingungen, die für Prozesse wie die metallorganische chemische Aufdampfung (MOCVD) wesentlich ist. Die Beschichtung schützt vor Oxidation, wobei die Integrität des Suszeptors bei längerer Einwirkung hoher Temperaturen erhalten bleibt. Diese Stabilität ermöglicht es den Herstellern, eine präzise Kontrolle über das Dünnschichtwachstum zu erreichen, ein wichtiger Bedarf an qualitativ hochwertigen Epitaxieschichten.

 

Die SiC-Beschichtung verbessert auch die Materialoberfläche und Oberflächeneigenschaften, verbessert die Wechselwirkungen zwischen dem Substrat und der wachsenden Folie. Dies führt zu besseren Wachstumsmodi und qualitativ hochwertigen Schnittstellen, die für fortgeschrittene Halbleiterbauelemente entscheidend sind. Zusätzlich minimiert die Beschichtung Verunreinigungen, wodurch die Zuverlässigkeit und Leistung des Endproduktes gewährleistet wird. Diese Attribute machen Siliziumkarbid-beschichtete Suszeptoren unverzichtbar in modernen Fertigungsumgebungen.

 

Beitrag zur Produktionseffizienz und Kostenmanagement

 

Siliziumkarbid-beschichtete Suszeptoren verbessern die Produktionseffizienz und das Kostenmanagement in der Halbleiterfertigung erheblich. Ihre thermische stabilität und chemische beständigkeit reduzieren die Wahrscheinlichkeit von Mängeln, was zu höheren Ausbeuten und besserer Produktqualität führt. Durch die präzise Steuerung von epitaktischen Wachstumsprozessen optimieren diese Suszeptoren die Energienutzung und verbessern die Geräteleistung. Diese Umstellung auf energieeffiziente Technologien senkt nicht nur die Betriebskosten, sondern richtet sich auch an Nachhaltigkeitsziele.

 

Die Haltbarkeit der SiC-Beschichtung verlängert die Lebensdauer von Suszeptoren, reduziert die Häufigkeit von Ersatz und damit verbundene Ausfallzeiten. Diese Haltbarkeit, kombiniert mit der Fähigkeit, konstante Leistung zu halten, trägt zu langfristigen Kosteneinsparungen bei. Hersteller profitieren von reduziertem Abfall und verbesserter Prozesseffizienz, wodurch Siliziumkarbid-beschichtete Anfälligkeiten eine kostengünstige Lösung für High-Tech-Industrien.

 

Marktdynamik Nachfrage

 

Rolle in der Halbleiterindustrie

 

Steigerung der Nutzung in Elektrofahrzeugen (EV) und erneuerbaren Energiesystemen

 

Silikoncarbid ist geworden ein Grundstein in der Halbleiterindustrie aufgrund ihrer Anwendungen in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen. Seine Fähigkeit, hohe Leistungsstufen und extreme Temperaturen zu handhaben, macht es ideal für kritische Komponenten wie:

 

 

• Konverter und Wechselrichter

 

• Batterieladegeräte und DC-DC-Wandler

 

• Hybride Elektrofahrzeugantriebe

 

• Photovoltaik-Wechselrichter und Windenergieanlagen

 

 

Diese Anwendungen unterstreichen die Rolle von Siliziumkarbid bei der Förderung energieeffizienter Technologien. So erhöht der Einsatz in Elektro-Fahrzeug-Batterieladegeräten Ladegeschwindigkeit und Energieeffizienz, was die Fahrerfahrung direkt verbessert. Ebenso sorgt die Integration in erneuerbare Energiesysteme wie Windenergieanlagen für eine zuverlässige Stromumwandlung und unterstützt globale Nachhaltigkeitsziele.

 

Überlegene Leistung im Vergleich zu herkömmlichem Silizium in der Leistungselektronik

 

Siliziumkarbid bildet traditionelles Silizium in der Leistungselektronik, bietet mehrere Schlüsselvorteile:

 

 

1. Höhere Effizienz: SiC-Geräte reduzieren Energieverluste im Betrieb, was den Fahrbereich von Elektrofahrzeugen erhöht und die Energiekosten senkt.

 

1. Erhöhte Leistungsdichte: Kompakte und leichte Designs, die von SiC ermöglicht werden, verbessern die Flexibilität im Fahrzeug- und Systemdesign.

 

1. Verbesserte Wärmeleistung: Überlegen wärmeleitfähigkeit sorgt für einen zuverlässigen betrieb unter anspruchsvollen bedingungen und verlängert die lebensdauer von bauteilen.

 

 

Diese Vorteile machen Siliziumkarbid für Hochleistungs-Power-Systeme unverzichtbar, vor allem in der Industrie priorisieren Effizienz und Haltbarkeit.

 

Wettbewerb mit alternativen Materialien

 

Vergleich mit Galliumnitrid (GaN) und anderen Schwellenmaterialien

 

Der Wettbewerb zwischen Siliziumkarbid und Galliumnitrid unterstreicht ihre einzigartigen Stärken. Die folgende Tabelle vergleicht die wichtigsten Eigenschaften:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eigentum	Gallium Nitride (GaN)	Siliciumcarbid (SiC)
Thermal Conductivity	1,3 W/cmK	5 W/cmK
Verarbeitende Defekte	Hohe Fehlerdichte	Geringe Fehlerdichte
Cost-Effectiveness	Mehr teuer	Mehr teuer
Anwendungen	Hochfrequenz	Hohe Leistung

 

Während GaN in Hochfrequenzanwendungen übertrifft, bleibt SiC aufgrund seiner überlegenen Wärmeleitfähigkeit und Zuverlässigkeit die bevorzugte Wahl für Hochleistungssysteme.

 

Warum Siliciumcarbid trotz Alternativen die bevorzugte Wahl bleibt

 

Die Fähigkeit von Siliconcarbid, höhere Leistungsstufen und extreme Bedingungen zu handhaben, sorgt für seine Dominanz bei kritischen Anwendungen. Seine geringe Fehlerdichte und bewährte Leistung in der Leistungselektronik machen es zu einer zuverlässigen Option für Branchen wie Automotive und erneuerbare Energien. Trotz der Entstehung von Alternativen, Siliziumkarbids einzigartige Eigenschaften setzen sie weiter auseinander.

 

Technologische Fortschritte

 

Innovationen verbessern Effizienz, reduzieren aber noch nicht Kosten

 

Neuere Fortschritte, wie die Entwicklung 200 mm SmartSiC Wafer von Resonac Corporation und Soitec haben die Produktionseffizienz verbessert. Diese Innovationen verbessern Ertrag und Produktivität und ermöglichen eine breitere Akzeptanz in Sektoren wie Elektrofahrzeugen. Die hohen Kosten, die mit diesen Technologien verbunden sind, bleiben jedoch ein Hindernis für eine weit verbreitete Erreichbarkeit.

 

Herausforderungen bei der Masseneinführung neuer Produktionstechnologien

 

Durch die Komplexität neuer Technologien werden die Siliziumkarbid-Produktionsflächen geschleudert. Der Bedarf an spezialisierten Geräten und Know-how begrenzt das Tempo der Adoption. Während Fortschritte langfristige Vorteile versprechen, verlangsamen die anfänglichen Investitionen und operativen Herausforderungen die Massenumsetzung. Die Überwindung dieser Barrieren wird für die steigende Nachfrage nach Siliciumcarbid entscheidend sein.

 

Sustainability and Environmental Impact

 

 

Energieintensive Produktion

 

Umweltkosten für Hochtemperatur-Herstellungsverfahren

 

Die Herstellung von Siliciumcarbid erfordert eine erhebliche Energie, vor allem durch die Überhitzung von Siliciumdioxid und Petrolkoks in Elektroöfen. Dieser Prozess erzeugt ca. 5 Tonnen Kohlendioxid (CO2) für jede Tonne Siliciumcarbid hergestellt. Die Abhängigkeit von fossilen Brennstoffen und Hochtemperatursynthese verschärft die Treibhausgasemissionen und trägt zum Klimawandel bei. Darüber hinaus führt die Rohstoffgewinnung oft zu Entwaldung und Habitatvernichtung und verstärkt den Umweltabbau.

 

Bemühungen zur Verringerung des CO2-Fußabdrucks in der Produktion

 

Innovative Ansätze zielen darauf ab, die Umweltauswirkungen der Siliziumkarbidproduktion zu mindern. Eine vielversprechende Methode beinhaltet mit Atmosphäre CO2 als Kohlenstoffquelle, die nicht nur Emissionen reduziert, sondern auch negative CO-Emissionen ermöglicht. Forscher erforschen die Machbarkeit von Siliziumkarbid mit erneuerbaren Strom und Luft und schaffen einen nachhaltigen Weg für die Herstellung. Diese Fortschritte richten sich an globale Anstrengungen zur Senkung des CO2-Fußabdrucks industrieller Prozesse.

 

Recycling und Wiederverwendbarkeit

 

Herausforderungen beim Recycling von Siliziumkarbidkomponenten

 

Recycling Siliziumkarbid stellt große Herausforderungen durch seine Haltbarkeit und Beständigkeit gegen Abbau. Die robusten Eigenschaften des Materials, die in Anwendungen vorteilhaft sind, komplizieren den Recyclingprozess. Das Trennen von Siliziumkarbid aus Verbundwerkstoffen oder die Rückgewinnung aus gebrauchten Komponenten erfordert fortschrittliche Technologien, die kostspielig und unterentwickelt bleiben.

 

Potenzial für kreisförmige Wirtschaftsmodelle in der Industrie

 

Trotz dieser Herausforderungen gewinnt das Potenzial für eine Kreislaufwirtschaft in der Siliziumkarbidindustrie an Aufmerksamkeit. Durch die Entwicklung von Produkten mit Recyclingfähigkeit im Denken und Investitionen in fortschrittliche Verwertungsmethoden können Hersteller Abfall reduzieren und Ressourceneffizienz fördern. Diese Bemühungen könnten den Weg für einen nachhaltigeren Lebenszyklus für Siliziumkarbid-Produkte ebnen und sowohl die Umwelt als auch die Industrie nutzen.

 

Regel- und Verbraucherdruck

 

Auswirkungen strengererer Umweltvorschriften auf die Produktionskosten

 

Regierungen weltweit führen strengere Umweltvorschriften zur Bewältigung des Klimawandels durch. Diese Politiken beauftragen oft geringere Emissionen und nachhaltige Praktiken, erhöhen die Produktionskosten für energieintensive Materialien wie Siliziumkarbid. Die Einhaltung dieser Vorschriften erfordert eine erhebliche Investition in sauberere Technologien und Prozesse, was die finanziellen Belastungen der Hersteller erhöht.

 

Wachsende Nachfrage nach nachhaltigen Materialien in Hightech-Branchen

 

Die Nachfrage nach nachhaltigen Materialien wird auf dem Siliziumkarbidmarkt umgestaltet. Branchen wie Automobil- und Solarenergie priorisieren zunehmend Materialien, die sich mit globalen Nachhaltigkeitszielen ausrichten. Die Effizienz und die Fähigkeit von Siliziumkarbid, Kohlenstoffemissionen zu reduzieren, machen es zu einer bevorzugten Wahl für diese Sektoren. Diese Verschiebung spiegelt einen breiteren Trend in Richtung umweltverträglicher Fertigung, treibender Innovation und Wachstum im Markt wider.

 

Zukunftsausblick für Silicon Carbide Pricing

 

Potenzial zur Kostenreduzierung

 

Fortschritte in der Produktionstechnik und Automatisierung

 

Emerging-Produktionstechnologien versprechen, die Kosten für Siliziumkarbid zu reduzieren. Ein neuartiges Verfahren, das kostengünstige Erdgas- und industrielle Siliciumabfälle verwendet wurde entwickelt. Dieses Verfahren erzeugt nicht nur Wasserstoff als Nebenprodukt, sondern senkt auch die Produktionskosten deutlich. Die folgende Tabelle zeigt die potenziellen Vorteile:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Voraussicht	Beschreibung
Neuer Prozess	Eine neue Methode zur Herstellung von SiC unter Verwendung kostengünstiger Erdgas- und industrieller Siliciumabfälle, die Wasserstoff als Nebenprodukt erzeugen.
Kostensenkung	Potential zur Herstellung von SiC für $10 bis $20 pro kg, deutlich niedriger als aktuelle Methoden.
Emissionsreduktion	Erwartet, die CO2-Emissionen um 75% zu reduzieren und toxische Emissionen zu beseitigen.

 

Auch die Automatisierung spielt eine entscheidende Rolle bei der Effizienzverbesserung. Durch die Optimierung von Fertigungsprozessen können Unternehmen die Produktivität steigern und gleichzeitig die Betriebskosten minimieren.

 

Ausbau der Produktionsanlagen weltweit

 

Globale Anstrengungen zur Erweiterung von Siliziumkarbid-Produktionsanlagen beschleunigen. Zu den wichtigsten Entwicklungen gehören:

 

 

• Infineon Technologies’ Markteinführung eines 200mm Siliziumkarbid-Chip-Fabs in Malaysia, um seine Marktposition zu stärken.

 

• ON Semiconductors Anlagenerweiterung, um den steigenden Waferbedarf anzugehen.

 

• Wesentliche Investitionen in die Region Asien-Pazifik, die über 301TP3 T des Marktes für SiC-Halbleitergeräte 2021.

 

 

Diese Erweiterungen zielen darauf ab, die wachsende Nachfrage nach Siliciumcarbid, insbesondere im Automobil- und Erneuerbaren Energien, zu erfüllen.

 

Langfristiger Markt Trends

 

Fortsetzung des Nachfragewachstums durch EV und erneuerbare Energien

 

Die Nachfrage nach Siliziumkarbid steigt weiter, angetrieben durch seine Anwendungen in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen. Das prognostizierte Wachstum des Marktes spiegelt diesen Trend wider:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jahr	Marktwert (US$)	CAGR (%)
2024	1,672 milliarden	N/A
2029	4.863 milliarden	23.80

 

Die überlegene Leistung von Siliconcarbid in der Leistungselektronik sorgt für seine nachhaltige Relevanz in diesen Branchen. Seine Fähigkeit, die Energieeffizienz zu verbessern und Emissionen zu reduzieren, richtet sich an globale Nachhaltigkeitsziele.

 

Potenzial zur Preisstabilisierung, da das Angebot mit Nachfrage aufholt

 

Da die Produktionsanlagen expandieren und neue Technologien entstehen, wird die Versorgung mit Siliziumkarbid zunehmen. Dieses Wachstum könnte zur Preisstabilisierung führen und das Material für verschiedene Anwendungen zugänglicher machen. Das Erreichen dieses Gleichgewichts hängt jedoch von den überwindenden aktuellen Produktionsherausforderungen ab.

 

Rolle der Zusammenarbeit zwischen der Regierung und der Industrie

 

Investitionen in Forschung und Entwicklung

 

Regierungs- und Industriepartnerschaften treiben Innovation in der Siliziumkarbidproduktion voran. So hat die US National Science Foundation beispielsweise einen nachhaltigen Herstellungsprozess mit recycelten Siliziumabfällen und Methanpyrolyse gefördert. Diese Methode reduziert die CO2-Emissionen um 75% und eliminiert toxische Nebenprodukte, was das Potenzial der Zusammenarbeit zeigt.

 

Politik zur Förderung einer nachhaltigen und kostengünstigen Produktion

 

Politiken, die nachhaltige Praktiken fördern, sind die Umgestaltung der Siliziumkarbidindustrie. Durch die Anreize für die Einführung sauberer Technologien fördern die Regierungen die Hersteller, die Umweltverantwortung zu priorisieren. Diese Initiativen reduzieren nicht nur die Produktionskosten, sondern richten sich auch an globale Anstrengungen zur Bekämpfung des Klimawandels.

 

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Die hohen Kosten von Siliconcarbid im Jahr 2025 spiegeln den komplexen Produktionsprozess, die Rohstoffknappheit und die steigende Nachfrage in High-Tech-Industrien wider. Der globale Markt, der von $1.672 Milliarden von 2024 bis $4.863 Milliarden von 2029, unterstreicht seine kritische Rolle in Sektoren wie Halbleiter und Automotive. Zu den wichtigsten Treibern gehören wachstum der verbraucherelektronik, nachhaltige energielösungen und der halbleiterindustrie.

 

Während die Fortschritte in der Produktionstechnik Kosten senken können, einzigartige eigenschaften von siliziumkarbid, wie hohe Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit, sorgen für seinen anhaltenden Wert. Die Zusammenarbeit zwischen Regierungen, Industrien und Forschern wird eine zentrale Rolle bei der Förderung von Innovation und der Erzielung einer nachhaltigen, kostengünstigen Produktion spielen.

 

FAQ

 

Was macht Siliziumkarbid so teuer in 2025?

 

Die hohen Kosten von Siliziumkarbid stammen aus der energieintensiven Produktion, der begrenzten Rohstoffverfügbarkeit und der steigenden Nachfrage in Industrien wie Halbleitern und Elektrofahrzeugen. Sie einzigartige eigenschaften, wie hohe wärmeleitfähigkeit und haltbarkeit, seinen wert weiter erhöhen.

 

Wie profitiert Siliziumkarbid von Elektrofahrzeugen?

 

Siliziumkarbid verbessert die Leistungsfähigkeit des Elektrofahrzeugs durch die Steigerung der Leistungseffizienz, die Reduzierung von Energieverlusten und die schnellere Aufladung. Seine überlegene Wärmeleitfähigkeit sorgt für einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen, was es für EV-Leistungssysteme wesentlich macht.

 

Kann die Siliziumkarbidproduktion nachhaltiger werden?

 

Ja, Forscher erforschen Methoden wie die Verwendung von atmosphärischem CO2 als Kohlenstoffquelle und erneuerbare Energien für die Produktion. Diese Innovationen wollen Emissionen reduzieren und globale Nachhaltigkeitsziele ausrichten.

 

Warum wird Siliciumcarbid gegenüber Galliumnitrid bevorzugt?

 

Silikoncarbid behandelt höhere Leistungsstufen und extreme Bedingungen besser als Galliumnitrid. Seine überlegene Wärmeleitfähigkeit und geringe Defektdichte machen es ideal für Hochleistungsanwendungen im Automobil- und Erneuerbaren Energien.

 

Werden die Siliciumcarbidpreise in Zukunft sinken?

 

Die Preise können sich stabilisieren, da Produktionsanlagen expandieren und neue Technologien Kosten senken. Die einzigartigen Eigenschaften und die wachsende Nachfrage werden jedoch ihren Prämienwert in kritischen Industrien aufrecht erhalten.