Como fabricante profesional chino, proveedor y exportador de Silicon Carbide Ceramic Coating. La cubierta de cerámica de carburo de silicona de Semicera es ampliamente utilizada en componentes clave de equipos de fabricación semiconductores, especialmente en procesos de procesamiento como CVD y PECV. Semicera se compromete a proporcionar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria semiconductora, y acoge con beneplácito su consulta adicional.
Semicera Silicon Carbide Ceramic Coating es un revestimiento protector de alto rendimiento hecho de carburo de silicio extremadamente duro y resistente al desgaste (SiC) material. El revestimiento generalmente se deposita en la superficie del sustrato por el proceso CVD o PVD con partículas de carburo de silicio, proporcionando una excelente resistencia a la corrosión química y estabilidad de alta temperatura. Por lo tanto, Silicon Carbide Ceramic Coating es ampliamente utilizado en componentes clave de equipos de fabricación semiconductores.
En la fabricación semiconductora, el revestimiento SiC puede soportar temperaturas extremadamente altas de hasta 1600°C, por lo que el revestimiento de cerámica de carburo de silicona se utiliza a menudo como capa protectora para equipos o herramientas para prevenir daños en entornos de alta temperatura o corrosivo.
Al mismo tiempo, el revestimiento cerámico de carburo de silicio puede resistir la erosión de ácidos, alcalis, óxidos y otros reactivos químicos, y tiene alta resistencia a la corrosión a una variedad de sustancias químicas. Por lo tanto, este producto es adecuado para diversos ambientes corrosivos en la industria semiconductora.
Además, en comparación con otros materiales cerámicos, SiC tiene mayor conductividad térmica y puede conducir eficazmente el calor. Esta característica determina que en los procesos semiconductores que requieren un control preciso de temperatura, la alta conductividad térmica de Silicon Carbide Ceramic Coating ayuda a dispersar uniformemente el calor, prevenir el sobrecalentamiento local, y asegurar que el dispositivo funciona a la temperatura óptima.
Propiedades físicas básicas del revestimiento de sico CVD |
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Propiedad |
Valor típico |
Estructura de cristal |
Policristalina de fase FCC β, principalmente (111) orientada |
Densidad |
3.21 g/cm3 |
Hardness |
2500 Dureza de los Vickers(500g carga) |
Grain SiZe |
2~10μm |
Pureza química |
99.99995% |
Capacidad de calefacción |
640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimación |
2700°C |
Fuerza estructural |
415 MPa RT 4 puntos |
Young’s Modulus |
430 Gpa curva 4pt, 1300°C |
Conductividad térmica |
300W·m-1·K-1 |
Expansión térmica (CTE) |
4.5×10-6K-1 |
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