Carburo de silicona Wafer Pedestal

El Silicon Carbide Wafer Pedestal de Semicera es una plataforma de alto rendimiento diseñada para mejorar la eficiencia de los procesos epitaxy y etching. Como componente clave que soporta procesos como Si Epitaxy y SiC Epitaxy, el producto de semicera puede mantener una excelente estabilidad y precisión en condiciones extremas. Ya sea la fabricación de silicona monocristalina (silicona monocristalina) o GaN en SiC Epitaxy, semicera de silicona Wafer Pedestal puede satisfacer diversas necesidades de fabricación semiconductora.

Silicon Carbide Wafer Pedestal es adecuado para una variedad de equipos clave como MOCVD Susceptor, Pancake Susceptor, RTP Carrier, etc., y también funciona bien en susceptores epitaxiales LED (LED Epitaxial Susceptor) y susceptores de barril (Barrel Susceptor). Los productos de semicera también se pueden utilizar en entornos de proceso complejos como piezas fotovoltaicas, Portadores de Etching PSS y Portadores de Etching ICP para asegurar una producción eficiente y productos acabados de alta calidad.

El Silicon Carbide Wafer Pedestal de Semicera utiliza materiales avanzados y diseño innovador, especialmente en entornos de alta temperatura y corrosivo. Puede apoyar eficazmente la epitaxia LED, la fotovoltaica y otros procesos complejos de fabricación semiconductores, reducir el estrés y los defectos, garantizar la transferencia y procesamiento estable de ondas, y proporcionar protección confiable para procesos de fabricación de alta precisión.

Ya sea que necesite apoyar el epitaxi, el grabado u otros procesos de fabricación de alta gama, semicera’s Silicon Carbide Wafer Pedestal puede proporcionarle excelentes soluciones. Con su excelente rendimiento en Si Epitaxy y SiC Epitaxy, este producto es un componente clave para asegurar el funcionamiento eficiente del proceso semiconductor

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