Le Silicon Film de Semicera est un matériau de haute performance conçu pour une variété d'applications avancées dans les industries des semi-conducteurs et de l'électronique. Fabriqué à partir de silicium de haute qualité, ce film offre une uniformité exceptionnelle, une stabilité thermique et des propriétés électriques, ce qui en fait une solution idéale pour le dépôt de film mince, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) et la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
Le Silicon Film de Semicera est un matériau de haute qualité, conçu pour répondre aux exigences strictes de l'industrie des semi-conducteurs. Fabriquée à partir de silicium pur, cette solution à film mince offre une excellente uniformité, une pureté élevée et des propriétés électriques et thermiques exceptionnelles. Il est idéal pour diverses applications de semi-conducteurs, y compris la production de Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat et Epi-Wafer. SemiceraS Silicon Film assure des performances fiables et cohérentes, ce qui en fait un matériau essentiel pour la microélectronique avancée.
Qualité et performance supérieures pour la fabrication de semiconducteurs
SemiceraS Silicon Film est connu pour sa résistance mécanique exceptionnelle, sa stabilité thermique élevée et ses faibles taux de défaut, tous déterminants dans la fabrication de semi-conducteurs performants. Qu'il soit utilisé dans la production de dispositifs à oxyde de gallium (Ga2O3), de Wafer AlN ou d'Epi-Wafers, le film fournit une base solide pour les dépôts de films minces et la croissance épitaxiale. Sa compatibilité avec d'autres substrats semi-conducteurs comme SiC Substrate et SOI Wafers assure une intégration transparente dans les processus de fabrication existants, aidant à maintenir des rendements élevés et une qualité de produit cohérente.
Applications in the Semiconductor Industry
Dans l'industrie des semi-conducteurs, Semiceras Silicon Film est utilisé dans un large éventail d'applications, de la production de Si Wafer et SOI Wafer à des utilisations plus spécialisées comme SiN Substrat et Epi-Wafer création. La pureté et la précision élevées de ce film le rendent essentiel dans la production de composants avancés utilisés dans tout, des microprocesseurs et circuits intégrés aux dispositifs optoélectroniques.
Le Silicon Film joue un rôle essentiel dans les processus semi-conducteurs tels que la croissance épitaxiale, le collage des plaquettes et le dépôt de films minces. Ses propriétés fiables sont particulièrement précieuses pour les industries qui ont besoin d'environnements hautement contrôlés, tels que les salles propres dans les robinets semi-conducteurs. De plus, le Silicon Film peut être intégré dans des systèmes de cassettes pour une manipulation et un transport efficaces des wafers pendant la production.
Fiabilité et cohérence à long terme
L'un des principaux avantages de l'utilisation de Semiceras Silicon Film est sa fiabilité à long terme. Avec son excellente durabilité et sa qualité constante, ce film offre une solution fiable pour les environnements de production à haut volume. Qu'il soit utilisé dans des dispositifs semi-conducteurs de haute précision ou des applications électroniques avancées, SemiceraS Silicon Film garantit aux fabricants des performances et une fiabilité élevées sur une large gamme de produits.
Pourquoi choisir Semicera?
Le Silicon Film de Semicera est un matériau essentiel pour des applications de pointe dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses propriétés de haute performance, y compris une excellente stabilité thermique, une pureté élevée et une résistance mécanique élevée, en font le choix idéal pour les fabricants qui cherchent à atteindre les normes les plus élevées dans la production de semi-conducteurs. De Si Wafer et SiC Substrat à la production d'appareils Gallium Oxide Ga2O3, ce film offre une qualité et des performances inégalées.
Avec SemiceraS Silicon Film, vous pouvez faire confiance à un produit qui répond aux besoins de la fabrication moderne de semi-conducteurs, fournissant une base fiable pour la prochaine génération d'électronique.
Éléments | Production | Recherche | Imbécile |
Paramètres de cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de surface | 4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | n-type d'azote | ||
Resistivity | 0,015 - 0,025 ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350±25 μm | ||
Orientation plane primaire | [1-100]±5° | ||
Longueur plate primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucune | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤ 15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Courbe | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤ 55 μm |
Rugosité à l'avant (AFM) | Ra=0,2nm (5μm*5μm) | ||
Structure | |||
Densité du micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | < 15 ea/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | N.A | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | N.A |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤ 1 000 ea/cm2 | N.A |
Qualité avant | |||
Avant | Si | ||
Finition de surface | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/wafer (taille ≥0,3μm) | N.A | |
Éclisses | ≤5ea/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée | N.A |
Pèlerins/piches/taches/triations/fissures/contamination | Aucune | N.A | |
Copeaux/dents/fracture/hex | Aucune | ||
Zones polytypées | Aucune | Superficie cumulée | Superficie cumulée |
Marquage laser avant | Aucune | ||
Qualité arrière | |||
Finition arrière | C-face CMP | ||
Éclisses | ≤5ea/mm,Diamètre | N.A | |
Défauts du dos (copeaux/dents) | Aucune | ||
Rugosité du dos | Ra=0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marquage laser arrière | 1 mm (du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chamfer | ||
Emballage | |||
Emballage | Prêt à l'épi avec emballage sous vide
Emballage de cassettes multiwafer |
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*Notes: "NA" signifie aucune demande Les points non mentionnés peuvent se référer à SEMI-STD. |
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