Anneau SiC Focus CVD

Focus CVD is a special chemical vapor deposition method that uses specific reaction conditions and control parameters to achieve localized focus control of material deposition. In the preparation of focus CVD SiC rings, the focus area refers to the specific part of the ring structure that will receive the main deposition to form the specific shape and size required.

Why is Focus CVD SiC Ring ?

Focus CVD SiC Ring is a silicon carbide (SiC) ring material prepared by Focus Chemical Vapor Deposition (Focus CVD) technology.

Focus CVD SiC Ring has many excellent performance characteristics. First, it has high hardness, high melting point and excellent high temperature resistance, and can maintain stability and structural integrity under extreme temperature conditions. Secondly, Focus CVD SiC Ring has excellent chemical stability and corrosion resistance, and has high resistance to corrosive media such as acids and alkalis. In addition, it also has excellent thermal conductivity and mechanical strength, which is suitable for application requirements in high temperature, high pressure and corrosive environments.

Focus CVD SiC Ring is widely used in many fields. It is often used for thermal isolation and protection materials of high temperature equipment, such as high temperature furnaces, vacuum devices and chemical reactors. In addition, Focus CVD SiC Ring can also be used in optoelectronics, semiconductor manufacturing, precision machinery and aerospace, providing high-performance environmental tolerance and reliability.

Notre avantage, pourquoi choisir Semicera ?

✓Haute qualité sur le marché chinois

✓ Un bon service toujours pour vous, 7*24 heures

✓ Date de livraison courte

✓Petit MOQ accueilli et accepté

Services personnalisés

Application

Epitaxy Growth Susceptor

Les plaquettes de carbure de silicium/silicon doivent passer par de multiples procédés pour être utilisées dans les appareils électroniques. Un processus important est le silicium/épitaxie sique, dans lequel les wafers de silicium/sic sont transportés sur une base de graphite. Les avantages spéciaux de la base de graphite revêtue de carbure de silicium Semicéra comprennent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils ont également une haute résistance chimique et la stabilité thermique.

Silicon Epitaxy Susceptor

Suscepteur d'épitaxie en carbure de silicium

LED Chip Production

Pendant le revêtement extensif du réacteur MOCVD, la base ou le support planétaire déplace le wafer du substrat. La performance du matériau de base a une grande influence sur la qualité du revêtement, qui à son tour affecte le taux de ferraille de la puce. La base en carbure de silicium Semicera augmente l'efficacité de fabrication des wafers LED de haute qualité et minimise l'écart de longueur d'onde. Nous fournissons également des composants de graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons enrober presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant est jusqu'à 1,5M, nous pouvons toujours enrober avec du carbure de silicium.

LED Epitaxy Susceptor

Semiconductor Field, Oxidation Diffusion Process, Etc.

Dans le processus semi-conducteur, le processus d'expansion d'oxydation nécessite une pureté élevée du produit, et chez Semicera nous offrons des services de revêtement sur mesure et CVD pour la majorité des pièces de carbure de silicium.

The following picture shows the rough-processed silicon carbide slurry of Semicea and the silicon carbide furnace tube that is cleaned in the 1000-level dust-free room. Our workers are working before coating. The purity of our silicon carbide can reach 99.99%, and the purity of sic coating is greater than 99.99995%.