Suscepteur recouvert de SiC pour Deep UV-LED

Semicera Energy Technology Co., Ltd. est un fournisseur leader de céramiques semi-conducteurs de pointe. Nos principaux produits comprennent: disques de carbure de silicium, remorques de carbure de silicium, navires de carbure de silicium (PV et semiconducteur), tubes de four au carbure de silicium, palettes de cantilever en carbure de silicium, mandrin en carbure de silicium, poutres en carbure de silicium, revêtements CVD SiC et revêtements TaC.

Les produits sont principalement utilisés dans les industries semi-conducteurs et photovoltaïques, comme la croissance du cristal, l'épitaxie, la gravure, l'emballage, le revêtement et les équipements de fours de diffusion.

Notre société fournit des services de revêtement SiC par la méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que les gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées sur la surface des matériaux enduits, formant une couche de protection SIC.

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Principales caractéristiques

1. Résistance à l'oxydation à haute température : la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : faite par dépôt de vapeur chimique dans un état de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion: dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acide, alcalin, sel et réactifs organiques.

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

SiC-CVD Propriétés
Crystal Structure	Phase FCC
Densité	g/cm 3	3.21
Dureté	La dureté des Vickers	2500
Taille des grains	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	°C	2700
Force félexurale	MPa (RT 4-point)	415
Modulus jeune	Gpa (4pt pli, 1300°C)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300