Suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

Le Suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale par semicera, une solution leader conçue pour optimiser le processus de croissance épitaxiale pour les applications avancées de semi-conducteurs. SémiceraS MCVD Suscepteur assure un contrôle précis de la température et des dépôts de matériaux, ce qui en fait le choix idéal pour réaliser l'épitaxie Si et l'épitaxie SiC de haute qualité. Sa construction robuste et sa conductivité thermique élevée permettent une performance constante dans des environnements exigeants, assurant la fiabilité requise pour les systèmes de croissance épitaxiale.

Ce MCVD Suscepteur est compatible avec diverses applications épitaxiques, y compris la production de silicone monocristallin et la croissance de GaN sur SiC Epitaxy, ce qui en fait un composant essentiel pour les fabricants à la recherche de résultats de haut niveau. De plus, il fonctionne de façon transparente avec les systèmes PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier et RTP Carrier, ce qui améliore l'efficacité et le rendement des processus. Le suscepteur est également adapté pour les applications de suscepteur Epitaxial LED et d'autres procédés de fabrication de semi-conducteurs avancés.

Grâce à sa conception polyvalente, le suscepteur semi-cera®s MOCVD peut être adapté pour être utilisé dans les Suscepteurs Pancake et Barrel. L'intégration de pièces photovoltaïques élargit encore son application, ce qui le rend idéal pour les industries semi-conducteurs et solaires. Cette solution haute performance offre une excellente stabilité thermique et durabilité, assurant une efficacité à long terme dans les processus de croissance épitaxiale.