日: 2024年11月23日

半導体製造におけるSiC-Coated Graphite SusceptorsのCrucialロールおよび応用事例

セミセラセミコンダクターは、半導体製造装置向けコアコンポーネントの生産をグローバルに増加させる予定です。 2027年までに、総額70万米ドルの新工場を建設することを目指しております。 当社のコアコンポーネントの1つであるシリコンカーバイド(SiC)ウェーハキャリアは、スセプターとしても知られ、重要な進歩が見られました。 そのため、ウェーハを保持するこのトレイは正確に何ですか? ウェーハ製造工程では、特定のウェーハ基板上にエピタキシャル層が構築され、デバイスを作成します。 例えば、GaAsエピタキシャルレイヤーは、LEDデバイス用のシリコン基板上に用意されており、SBDやMOSFET、GaNなどのパワーアプリケーション用の導電性SiC基板上にSiCのエピタキシャルレイヤーが栽培されています