エピタキシャル成長用MOCVDサセプター

Semiceraの最先端のMOCVDのエピタキシャル成長のスセプターはエピタキシャル成長プロセスを進めます。 半導体製造における材料の沈着を最適化し、精密なエピタキシャル成長を確かなものにする為に、設計をしております.

精密・品質に重点を置いたMOCVDのエピタキシャル成長の受容器は、半導体機器の卓越性に対するSemiceraのコミットメントに対する評価です。 Trust Semiceraの専門知識により、あらゆる成長サイクルで優れた性能と信頼性を実現します.

セミセラによるエピタキシャル成長のためのMOCVD Susceptorは、先進半導体用途向けのエピタキシャル成長プロセスを最適化するソリューションです。 SemiceraのMOCVDのスセプターは温度および物質的な沈殿物の精密な制御を保障しま、良質のSiC EpitaxyおよびSiC Epitaxyを達成するための理想的な選択をします。 堅牢な構造と高い熱伝導性により、厳しい環境での一貫した性能を実現し、エピタキシャル成長システムに必要な信頼性を保証します.

このMOCVD SusceptorはSiC EpitaxyのMonocrystallineのケイ素の生産およびGaNの成長を含むさまざまなエピタキシーな適用と互換性があり、それトップ tierの結果を求める製造業者のための重要な部品を作ります。 また、PSSエッチングキャリア、ICPエッチングキャリア、RTPキャリアシステムと連携し、プロセスの効率化と歩留まりを強化しています。 また、LEDエピタキシャルサスセプターアプリケーションや、先進的な半導体製造プロセスに適しています.

汎用性の高いデザインで、セミセラのMOCVDスセプターはパンケーキスセプターやバレルスセプターでの使用に適応し、異なる生産セットアップの柔軟性を提供します。 光起電部品の統合により、半導体と太陽光の双方に理想的なアプリケーションを拡充。 この高性能ソリューションは、優れた熱安定性と耐久性を提供し、エピタキシャル成長プロセスにおける長期的な効率を保証します.

Main Features

1。高純度SiCコーティンググラファイト

2。 優秀な熱抵抗及び熱均等性

3。 滑らかな表面のために塗られる良いSiCの水晶

4。 化学洗浄に対する高い耐久性

CVD-SICの主な仕様 コーティング:

シックCVD
コンテンツ (g/cc) 3.21
曲げ強度 (Mpa) 470
熱膨張 (10-6/K) 4
Thermal conductivity (W/mK) 300

パッキングおよび船積み

供給の能力:
10000万円 月ごとの部分/部分
包装及び配達:
パッキング:標準的な及び強いパッキング
多袋+箱+カートン+パレット
港:
寧波/深セン/上海
調達期間:

数量(個) 1 - 1000 >1000の
Est. 時間(日) 30 交渉されるため
Semicera Work place
Semicera work place 2
Equipment machine
CNN processing, chemical cleaning, CVD coating
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