セミセラによるシリコンフィルムは、半導体業界の厳しい要件を満たすように設計された、高品質で精密加工材料です。 純粋なシリコン製で、この薄膜ソリューションは、優れた均一性、高い純度、優れた電気的および熱的特性を提供します。 Siウェーハ、SiCサブステレート、SOIウエファー、SiNサブステレート、Epi-Waferなどの各種半導体用途にご使用いただけます。 Semiceraのシリコンフィルムは、信頼性と一貫性のある性能を保証し、高度なマイクロエレクトロニクスの重要な材料にします.
半導体製造の優れた品質と性能
セミセラのシリコンフィルムは、優れた機械的強度、高熱安定性、低欠陥率で知られており、高性能半導体の製造に不可欠です。 ガリウム酸化物(Ga2O3)装置、AlNのウエファー、またはEpi-Wafersの生産で使用されるかどうか、フィルムは薄膜沈着およびエピタキシャル成長のための強い基盤を提供します。 SiC基板やSOIウェーハなどの他の半導体基板との互換性により、既存の製造プロセスにシームレスな統合が可能になり、高い収量と一貫した製品品質を維持できます.
半導体業界におけるアプリケーション
半導体業界において、Semiceraのシリコンフィルムは、SiウェーハやSOIウェハの製造からSiN基板やEpi-Wafer生成など、幅広い用途で利用されています。 このフィルムの高純度と精度は、マイクロプロセッサと集積回路から光電子デバイスに至るまで、あらゆる分野で使用されている高度なコンポーネントの生産に不可欠です.
シリコンフィルムは、エピタキシャル成長、ウェーハ接合、薄膜蒸着などの半導体プロセスにおいて重要な役割を果たしています。 半導体の破片のクリーンルームのような高度に制御された環境を要求する企業のためのその信頼できる特性は特に貴重です。 また、シリコンフィルムは、製造中の効率的なウェーハ処理と輸送のためのカセットシステムに統合できます.
長期信頼性と一貫性
セミセラのシリコンフィルムを使用する主な利点の1つは、その長期的な信頼性です。 優れた耐久性と一貫した品質で、このフィルムは、大量生産環境に適したソリューションを提供します。 高精度半導体デバイスや高度な電子アプリケーションで使用されている場合でも、Semiceraのシリコンフィルムは、メーカーが幅広い製品で高い性能と信頼性を実現できるようにします.
セミセラのシリコンフィルムを選ぶ理由?
セミセラのシリコンフィルムは、半導体業界における最先端用途に欠かせない素材です。 優れた熱安定性、高い純度、機械的強度を含む高性能特性は、半導体製造における最高の基準を達成するために探しているメーカーに最適です。 SiウェーハとSiC基板からガリウム酸化物Ga2O3装置の製造まで、このフィルムは比類のない品質と性能を実現します.
セミセラのシリコンフィルムでは、現代の半導体製造のニーズに合った製品を信頼し、次世代のエレクトロニクスに確かな基盤を発揮します.
アイテム | 生産工程 | リサーチ | ダミー |
水晶変数 | |||
ポリタイプ | 4Hの | ||
表面のオリエンテーションの間違い | 4±0.15° | ||
電気変数 | |||
ドパント | n型窒素 | ||
抵抗率 | 0.015-0.025ω・cm | ||
機械変数 | |||
直径 | 150.0±0.2mm | ||
厚さ: | 350±25 μm | ||
第一次平らなオリエンテーション | [1-100]±5° | ||
第一次平らな長さ | 47.5±1.5mm | ||
二次フラット | なし | ||
TTVテレビ | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTVシリーズ | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
ログイン | -15μm _ 15μm | -35μm _ 35μm | -45μm _ 45μm |
ウォープ | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
フロント(Si面)粗さ(AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
コンテンツ | |||
マイクロパイプ密度 | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
金属の不純物 | ≤5E10atoms/cm2 | ログイン | |
BPDについて | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | ログイン |
TSDについて | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | ログイン |
前部質 | |||
フロント | ログイン | ||
表面仕上げ | Si面CMP | ||
粒子 | ≤60ea/wafer (size≥0.3μm) | ログイン | |
スクラッチ | ≤5ea/mm。 累積長さ ≤直径 | 累積長さ≤2*直径 | ログイン |
オレンジの皮/ピット/汚れ/striations/ひび/汚染 | なし | ログイン | |
エッジチップ/インデント/骨折/六角板 | なし | ||
ポリタイプの区域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≦30% |
フロントレーザーマーキング | なし | ||
バック品質 | |||
バックフィニッシュ | Cインターフェイス CMP | ||
スクラッチ | ≤5ea/mmの累積length≤2*Diameter | ログイン | |
バック欠陥(エッジチップ/インデント) | なし | ||
バック粗さ | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
バックレーザーマーキング | 1 mm (上の端から) | ||
エッジ | |||
エッジ | シャンファー | ||
パッケージング | |||
パッケージング | 真空包装によるEpiready
マルチウェーハカセットパッケージ |
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※注記:「NA」とは、要求なし 記載されていない項目はSEMI-STDを参照する場合があります. |
セミセラセミコンダクターは、2つの研究センターと3つの生産拠点で研究開発と生産を統合し、50の生産ラインと200人以上の従業員をサポートしています。
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