ウェハー・サセプター

ウェーハスセプターは、エピタキシプロセスにおいて欠かせないコアコンポーネントです。 Semicera は、Si Epitaxy と SiC Epitaxy プロセスの優れたソリューションを、精密設計と製造を通じて提供しています。 当社のウェーハスセプターは、エピタキシプロセス中に均一な熱分布を確保し、モノクリスタルシリコン(モノクリスタルシリコン)層の堆積品質を向上させます。 MOCVDのスセプターおよびバレルのスセプターの異なったタイプでよく、さまざまな半導体の製造プロセスのために適しています.

Semicera のウエファーのスセプターは優秀な高温抵抗および耐食性の高力材料から成り、複雑な epitaxy プロセス条件の下で長い時間のために安定したままである場合もあります。 Si Epitaxy または SiC Epitaxy プロセスでも、Semicera の Susceptor は、エピタキシーな成長中にウェーハの品質の一貫性を確保するために、正確な温度制御サポートを提供できます.

また、Semiceraのウエファーのスセプターは特にMOCVDのスセプターおよびバレルのスセプターの適用でさまざまな装置および指定の条件に合わせるためにまた正確に処理されます。 優秀な物質的な選択およびプロセス制御を使うと、私達のプロダクトは生産の効率を改良するだけでなく、プロセスの欠陥率そしてエネルギー消費をかなり減らします.

半導体業界における非常に厳しいエピタキシ処理のために、セミカラのウェーハスセプターは理想的な選択です。 R&Dや量産にも関わらず、ウェーハ・スセプターは、SiCのエピタキシーとSiCのエピタキシーなプロセスにおいて、より高い信頼性と優れた結晶構造を実現できます.