Semicera のエネルギー技術 Co.、株式会社は高度の半導体の陶磁器の一流の製造者です。 私達の主要なプロダクトは下記のものを含んでいます:炭化ケイ素のエッチングされたディスク、炭化ケイ素のボートのトレーラー、炭化ケイ素のウエファーの船(PV及び半導体)、炭化ケイ素の炉の管、炭化ケイ素のcantileverのパドル、炭化ケイ素のチャック、炭化ケイ素のビーム、またCVD SiCのコーティングおよびTACのコーティング.
プロダクトは主に水晶成長、エピタキシ、エッチング、包装、コーティングおよび拡散の炉装置のような半導体および太陽光発電の企業で、使用されます.
Our company provides SiC coating process services by CVD method on the surface of graphite, ceramics and other materials, so that special gases containing carbon and silicon react at high temperature to obtain high purity SiC molecules, molecules deposited on the surface of the coated materials, forming SIC protective layer.
1。 高温酸化抵抗: 酸化抵抗は、温度が1600 Cほど高くても非常に良好です.
2. High purity : made by chemical vapor deposition under high temperature chlorination condition.
3. Erosion resistance: high hardness, compact surface, fine particles.
4. Corrosion resistance: acid, alkali, salt and organic reagents.
| SiC-CVD Properties | ||
| Crystal Structure | FCC β phase | |
| コンテンツ | g/cm ³ | 3.21 |
| フリガナ | Vickers hardness | 2500 |
| 穀物のサイズ | μm | 2~10 |
| Chemical Purity | % | 99.99995 |
| Heat Capacity | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimation Temperature | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Young’ s Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Thermal Expansion (C.T.E) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermal conductivity | (W/mK) | 300 |
セミセラセミコンダクターは、2つの研究センターと3つの生産拠点で研究開発と生産を統合し、50の生産ラインと200人以上の従業員をサポートしています。
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