반도체 반도체 반도체 제조 설비의 핵심부품 생산을 전개할 계획입니다. 2027년에, 우리는 70백만 USD의 총 투자를 가진 새로운 20,000 평방 미터 공장을 설치하는 것을 목표로 합니다. 우리의 핵심 성분의 한 실리콘 카바이드 (SiC) 웨이퍼 캐리어, 또한 susceptor로 알려져, 상당한 발전을 보았다. 그래서, 웨이퍼를 보유하고있는이 트레이는 무엇입니까?
웨이퍼 제조 공정에서, epitaxial 층은 특정 웨이퍼 기판에 내장되어 장치를 만듭니다. 예를 들어, GaAs epitaxial 층은 LED 장치 용 실리콘 기판에 준비되어 SiC epitaxial 층은 SBD 및 MOSFET과 같은 전력 응용 분야에서 전도성 SiC 기판에 성장하고 있으며 GaN epitaxial 층은 HEMT와 같은 RF 응용 프로그램에 대한 반 절연 SiC 기판에 건설됩니다. 이 프로세스는 크게 의존합니다 화학 증기 증착 (CVD) 장비.
CVD 장비에서는, 기질은 가스 교류 (horizontal, 수직), 온도, 압력, 안정성 및 오염과 같은 각종 요인 때문에 금속 또는 간단한 기초에 직접 둘 수 없습니다. 따라서, susceptor는 기판을 배치하는 데 사용되며 CVD 기술을 사용하여 epitaxial 증착을 가능하게합니다. 이 susceptor는 SiC 코팅 흑연 susceptor.
SiC 입히는 흑연 susceptors는 금속 유기 화학 증기 증착 (MOCVD) 장비에서 지원하고 열 단결정 기질을 가열하기 위하여 전형적으로 이용됩니다. 열 안정성과 균일성 SiC-coated graphite susceptors mOCVD 장비 (Veeco 및 Aixtron과 같은 MOCVD 장비 회사를 선도하는 MOCVD 장비 회사)의 핵심 부품을 만드는 에피 축 재료의 성장 품질에 중요합니다. 현재, MOCVD 기술은 그것의 단순성, 지배할 수 있는 성장 비율 및 높은 순수성 때문에 파란 LEDs를 위한 GaN 영화의 축 성장에서 널리 이용됩니다. MOCVD 반응기의 필수 부분으로 gaN 영화 epitaxial 성장을 위한 susceptor 고열 저항, 획일한 열 전도도, 화학 안정성 및 강한 열충격 저항이 있어야 합니다. 흑연은이 요구 사항을 완벽하게 충족합니다.
MOCVD 장비의 핵심 성분으로, 흑연 susceptor는 필름 물자의 균등성과 순수성에 직접 영향을 미치는 단결정 기질을 지원하고 가열합니다. 그것의 질은 직접 epitaxial 웨이퍼의 준비에 충격을 줍니다. 그러나, 증가된 사용 및 다각적인 근무 조건과 더불어, graphite susceptors는 쉽게 착용하고 소모품으로 간주됩니다.
MOCVD 인증서 다음 요구 사항을 충족 할 수있는 특정 코팅 특성이 있어야합니다
- - 좋은 적용: 코팅은 완전히 부식성 가스 환경에 부식을 방지하기 위해 고밀도를 가진 흑연 susceptor를 커버해야 합니다.
- - 높은 접합 힘: 코팅은 흑연 susceptor에 강하게 접착해야, 벗기는 없이 다수 고열 및 저온 주기를 저항하는.
- - 화학 안정성: 코팅은 고열과 부식성 대기권에 있는 실패를 피하기 위하여 화학적으로 안정되어 있어야 합니다.
그것의 내식성, 높은 열 전도도, 열충격 저항 및 높은 화학 안정성과 더불어 SiC는, GaN epitaxial 환경에서 잘 실행합니다. 또한, SiC의 열팽창 계수는 흑연 susceptor 코팅을 위한 선호한 물자를 만드는 흑연과 유사합니다.
현재 SiC의 일반적인 유형은 3C, 4H 및 6H, 다른 신청을 위해 각 적당한 포함합니다. 예를 들어, 4H-SiC는 고출력 장치를 생산할 수 있으며, 6H-SiC는 광전자 기기에 안정적이며, 3C-SiC는 GaN 구조와 유사하며 GaN 축층 생산 및 SiC-GaN RF 장치에 적합합니다. 3C-SiC는, 일컬어 β-SiC, 주로 코팅을 위한 1 차적인 물자를 만들기 영화와 코팅 물자로, 사용됩니다.
Sol-gel, embedding, brushing, Plasma Spraying, Chemical 증기 반응 (CVR) 및 화학 증기 증착 (CVD)을 포함한 SiC 코팅을 준비하는 다양한 방법이 있습니다.
이 중, embedding 방법은 고온 고체 소결 공정입니다. Si 및 C 분말을 함유 한 embedding 분말에 흑연 기판을 배치하고 inert 가스 환경에서 소결, 흑연 기판에 SiC 코팅 형태. 이 방법은 간단합니다, 그리고 코팅 노예는 기질에 잘. 그러나, 코팅은 간격 균등성 결점이 부족하골, 가난한 산화 저항에 지도할지도 모릅니다.
살포 코팅 방법
살포 코팅 방법은 흑연 기질 표면에 액체 원료를 살포하고 코팅을 형성하기 위하여 특정한 온도에 그(것)들을 치료합니다. 이 방법은 간단하고 비용 효과적이지만 코팅과 기판 사이에 약한 접합에 결과, 낮은 산화 저항, 보조 방법을 필요로하는 얇은 코팅.
이온빔 살포 방법
이온 광속 살포는 molten 살포 또는 부분적으로 흑연 기질 표면에 물자를 살포하는 이온 광속 총을, 응고에 코팅을 형성하는 이용합니다. 이 방법은 간단하고 dense SiC 코팅을 생성합니다. 그러나 얇은 코팅은 약한 산화 저항이, 수시로 SiC 합성 코팅을 위해 질을 개량하기 위하여 이용됩니다.
Sol-Gel 방법
Sol-gel 방법은 기판 표면을 덮고 건조 및 소결 후 코팅을 얻는 균일하고 투명한 솔질 솔루션을 준비하는 것입니다. 이 방법은 간단하고 비용 효과적이지만 낮은 열충격 저항 및 sceptibility와 코팅에 결과가 광범위하게 응용 프로그램을 제한합니다.
화학 증기 반응 (CVR)
CVR는 SiC 코팅을 형성하기 위하여 탄소 물자 기질과 반응하는 고열에 Si와 SiO2 분말을 이용합니다. 결과 SiC 코팅 접착은 기판과 단단히 접합하지만 공정은 높은 반응 온도와 비용을 필요로한다.
Chemical Vapor Deposition (CVD)
CVD는 SiC 코팅을 준비하기위한 주요 기술입니다. 그것은 흑연 기질 표면에 가스 단계 반응을 포함합니다, 원료가 SiC 코팅으로 예금하는 육체 및 화학 반응을 겪는 어디. CVD는 기판의 산화와 혈관 저항을 강화하는 단단하게 접착된 SiC 코팅을 일으킵니다. 그러나 CVD는 긴 증착 시간이 있으며 독성 가스를 포함 할 수 있습니다.
시장 상황
SiC-coated graphite susceptor 시장에서 외국 제조업체는 상당한 리드 및 높은 시장 점유율을 가지고 있습니다. Semicera는 흑연 기질에 균일 한 SiC 코팅 성장을위한 핵심 기술을 극복하고 열 전도성, 탄성 계수, 뻣뻣함, 격자 결함 및 기타 품질 문제, 완전히 MOCVD 장비 요구 사항을 충족하는 솔루션을 제공합니다.
미래 전망
중국 반도체 산업은 급속하게 발전하고, MOCVD 전동 장비의 현지화를 증가시키고 신청을 확장하. SiC 입히는 흑연 susceptor 시장은 빨리 성장할 것으로 예상됩니다.
관련 기사
화합물 반도체 장비의 중요한 구성 요소로서 핵심 생산 기술 및 로컬라이제이션을 마스터하는 SiC-coated graphite susceptors는 중국의 반도체 산업에 전략적으로 중요합니다. 국내 SiC-coated graphite susceptor 분야는 국제적인 수준에 도달하는 제품 품질과 더불어 thriving 입니다. Semicera는 이 분야에 있는 주요한 공급자이기 위하여 노력하고 있습니다.
Korean 
English 
French 
German 
Japanese 
Spanish 
Italian 
Portuguese 
Arabic