Como um profissional fabricante chinês, fornecedor e exportador de Silicon Carbide revestimento cerâmico. O revestimento cerâmico do Carbide Silicon Carbide de Semeciera é amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores, especialmente em processos de processamento como DCV e PECV. A Semicera está empenhada em fornecer tecnologia avançada e soluções de produtos para a indústria de semicondutores, e saúda a sua nova consulta.
Semicera Silicon Carbide Revestimento cerâmico é um revestimento de proteção de alto desempenho feito de material de carboneto de silício extremamente duro e resistente ao desgaste (SiC). O revestimento é geralmente depositado na superfície do substrato por DCV ou processo PVD com partículas de carboneto de silício, proporcionando excelente resistência química à corrosão e alta estabilidade à temperatura. Portanto, revestimento cerâmico de carboneto de silício é amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores.
Na fabricação de semicondutores, o revestimento SiC pode suportar temperaturas extremamente elevadas de até 1600°C, de modo que o revestimento cerâmico de carboneto de silício é frequentemente usado como uma camada protetora para equipamentos ou ferramentas para evitar danos em ambientes corrosivos ou de alta temperatura.
Ao mesmo tempo, o revestimento cerâmico de carboneto de silício pode resistir à erosão de ácidos, álcalis, óxidos e outros reagentes químicos, e tem alta resistência à corrosão a uma variedade de substâncias químicas. Portanto, este produto é adequado para vários ambientes corrosivos na indústria de semicondutores.
Além disso, em comparação com outros materiais cerâmicos, SiC tem maior condutividade térmica e pode efetivamente conduzir calor. Esta característica determina que em processos semicondutores que requerem controle preciso de temperatura, a alta condutividade térmica do revestimento cerâmico de carboneto de silício ajuda a dispersar o calor uniformemente, evitar o superaquecimento local e garantir que o dispositivo opera na temperatura ideal.
Propriedades físicas básicas do revestimento DCV sic |
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Property |
Valor Típico |
Estrutura de Cristal |
FCC β fase policristalina, principalmente orientada (111) |
Density |
3,21 g/cm3 |
Hardness |
2500 Dureza Vickers(500g de carga) |
Grão SiZe |
2~10μm |
Pureza química |
99.99995% |
Capacidade térmica |
640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimação |
2700°C |
Flexural Strength |
415 MPa RT 4 pontos |
Módulo de Young’s |
430 Gpa 4pt curva, 1300°C |
Condutividade térmica |
300W·m-1·K-1 |
Expansão térmica (CTE) |
4,5×10-6K-1 |
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