Silicon Carbide Ceramic Coating

Como um profissional fabricante chinês, fornecedor e exportador de Silicon Carbide revestimento cerâmico. O revestimento cerâmico do Carbide Silicon Carbide de Semeciera é amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores, especialmente em processos de processamento como DCV e PECV. A Semicera está empenhada em fornecer tecnologia avançada e soluções de produtos para a indústria de semicondutores, e saúda a sua nova consulta.

Semicera Silicon Carbide Revestimento cerâmico é um revestimento de proteção de alto desempenho feito de material de carboneto de silício extremamente duro e resistente ao desgaste (SiC). O revestimento é geralmente depositado na superfície do substrato por DCV ou processo PVD com partículas de carboneto de silício, proporcionando excelente resistência química à corrosão e alta estabilidade à temperatura. Portanto, revestimento cerâmico de carboneto de silício é amplamente utilizado em componentes-chave de equipamentos de fabricação de semicondutores.

Na fabricação de semicondutores, o revestimento SiC pode suportar temperaturas extremamente elevadas de até 1600°C, de modo que o revestimento cerâmico de carboneto de silício é frequentemente usado como uma camada protetora para equipamentos ou ferramentas para evitar danos em ambientes corrosivos ou de alta temperatura.

Ao mesmo tempo, o revestimento cerâmico de carboneto de silício pode resistir à erosão de ácidos, álcalis, óxidos e outros reagentes químicos, e tem alta resistência à corrosão a uma variedade de substâncias químicas. Portanto, este produto é adequado para vários ambientes corrosivos na indústria de semicondutores.

Além disso, em comparação com outros materiais cerâmicos, SiC tem maior condutividade térmica e pode efetivamente conduzir calor. Esta característica determina que em processos semicondutores que requerem controle preciso de temperatura, a alta condutividade térmica do revestimento cerâmico de carboneto de silício ajuda a dispersar o calor uniformemente, evitar o superaquecimento local e garantir que o dispositivo opera na temperatura ideal.

 Propriedades físicas básicas do revestimento DCV sic

Property

Valor Típico

Estrutura de Cristal

FCC β fase policristalina, principalmente orientada (111)

 Density

3,21 g/cm3

Hardness

2500 Dureza Vickers(500g de carga)

Grão SiZe

2~10μm

Pureza química

99.99995%

Capacidade térmica

640 J·kg-1·K-1

Temperatura de sublimação

2700°C

Flexural Strength

415 MPa RT 4 pontos

Módulo de Young’s

430 Gpa 4pt curva, 1300°C

Condutividade térmica

300W·m-1·K-1

Expansão térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento de DCV
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